Renesas Electronics No MOSFET HIP2211FRTZ-T7A MOSFET, 3400 mA, DFN, 10 Pin 20 V

Visualizza Gate driver

Prezzo per 1 bobina da 250 unità*

184,25 €

(IVA esclusa)

224,75 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Ultimi pezzi su RS
  • 750 unità ancora disponibili, pronte per la spedizione da un'altra sede.
Unità
Per unità
Per bobina*
250 +0,737 €184,25 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
201-3369
Codice costruttore:
HIP2211FRTZ-T7A
Costruttore:
Renesas Electronics
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Renesas Electronics

Tipo prodotto

MOSFET

Corrente di uscita

3400mA

Numero pin

10

Tempo di discesa

365ns

Tipo di package

DFN

Numero di uscite

2

Tipo di driver

MOSFET

Tempo di salita

435ns

Tensione minima di alimentazione

18V

Tensione massima di alimentazione

20V

Minima temperatura operativa

-65°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

0.75mm

Serie

HIP2211

Lunghezza

3mm

Larghezza

2.6 mm

Tipo montaggio

Superficie

Standard automobilistico

No

Il driver FET NMOS half-bridge ad alta frequenza sink 4A Renesas 100V, sorgente 3A appartiene alla serie HIP2211. Questo driver ha una configurazione a 10 pin. È dotato di un ingresso PWM a tre livelli con tempo morto programmabile.

Ritardo di propagazione rapido e abbinamento con ritardo tipico 15ns e adattamento 2ns

È dotato di diodo bootstrap tipico da 0,5 O.

La tensione massima di alimentazione bootstrap di 115VDC supporta 100V sul half-bridge

Link consigliati