Driver gate MOSFET STGAP2SICSC, SO-8W, 8-Pin

Il dispositivo STMicroelectronics STGAP2SICS è un driver a gate singolo che fornisce isolamento galvanico tra il canale di pilotaggio gate e il controllo a bassa tensione e i circuiti di interfaccia. Il driver gate è caratterizzato da una capacità di 4 A e uscite rail-to-rail, il che rende il dispositivo adatto anche per applicazioni a media e alta potenza, come ad esempio la conversione di potenza e inverter per azionamenti per motori in applicazioni industriali. Il dispositivo è disponibile in due diverse configurazioni. La configurazione con pin di uscita separati consente di ottimizzare in modo indipendente l'accensione e lo spegnimento utilizzando resistenze gate dedicate. La configurazione con pin di uscita singola e la funzione DI MORSETTO Miller evita i picchi di gate durante le commutazioni rapide in topologie half-bridge. Entrambe le configurazioni offrono un'elevata flessibilità e riduzione della distinta dei materiali per i componenti esterni.

Guida ad alta tensione fino a 1200 V.
Capacità di corrente driver: 4 A sink/source @25 °C.
Immunità ai transienti DV/dt ±100 V/ns in tutta la gamma di temperature
Ritardo di propagazione ingresso-uscita totale: 75 ns
Opzione sink/source separata per una facile configurazione dell'azionamento gate
Opzione con pin dedicato CON MORSETTO Miller DA 4 A.
Funzione UVLO
Tensione di pilotaggio gate fino a 26 V.
Ingressi TTL/CMOS a 3,3 V o 5 V con isteresi
Protezione contro l'arresto di sicurezza della temperatura
Funzione di standby
Isolamento galvanico 6 kV