STMicroelectronics No Gate driver STDRIVE101 MOSFET, 600 mA 3, SOIC, 28 Pin 78 V

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Codice RS:
210-8289
Codice costruttore:
STDRIVE101
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

Gate driver

Corrente di uscita

600mA

Numero pin

28

Tempo di discesa

120ns

Tipo di package

SOIC

Numero di uscite

3

Tipo di driver

MOSFET

Tempo di salita

120ns

Tensione minima di alimentazione

-0.3V

Numero driver

3

Tensione massima di alimentazione

78V

Minima temperatura operativa

-40°C

Temperatura massima di funzionamento

125°C

Larghezza

4.15 mm

Lunghezza

4.15mm

Altezza

1mm

Standard/Approvazioni

No

Tipo montaggio

Superficie

Standard automobilistico

No

Il modello STDRIVE101 è un driver gate a bassa tensione adatto per azionare motori brushless trifase.

Si tratta di un chip singolo con tre driver gate half-bridge per MOSFET di potenza a canale N. Ogni driver ha una capacità di corrente di 600 mA (sink/source). Integra un regolatore lineare a bassa caduta che genera la tensione di alimentazione per i driver gate low-side e high-side attraverso un circuito bootstrap.

Il dispositivo fornisce Under Voltage Lock Out (UVLO) sia sulle sezioni a lato basso che a lato alto, impedendo agli interruttori di alimentazione di funzionare in condizioni di scarsa efficienza o pericolose.

La logica di controllo integrata nello STDRIVE101 consente due strategie di ingresso (side high e side low o abilitazione e segnali di azionamento PWM). Il metodo di azionamento è selezionato in base al pin DT/MODE. In entrambi i casi, la prevenzione della conduzione incrociata è garantita dal blocco o dal tempo morto generato internamente.

Il modello STDRIVE101 è dotato anche di una protezione di monitoraggio VDS per ogni MOSFET esterno, spegnimento termico e può essere messo in modalità standby per ridurre il consumo energetico.

Il dispositivo è disponibile in un'opzione di contenitore VFQFPN 4x4 a 24 cavi.

•Tensione d'esercizio da 5,5 a 75 V

•Capacità di corrente di dissipazione/sorgente 600 mA

•Logica di controllo a 3,3 V e 5 V

•Due strategie di ingresso:

oENx/INx con generazione di tempo morto regolabile

oINHx/INLx con blocco

•Ritardo di propagazione corrispondente per tutti i canali

•Ritardo di propagazione molto breve: 40 ns

•Diodi bootstrap integrati

•Regolatore lineare LDO da 12 V (50 mA max.)

•Monitor VDS integrato per ogni MOSFET esterno

•Comparatore di sovracorrente

•Protezione UVLO e spegnimento termico

•Modalità standby per il funzionamento a basso consumo di corrente

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