Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.

Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	STMicroelectronics
	Tipo prodotto	Gate driver
	Corrente di uscita	600mA
	Numero pin	28
	Tempo di discesa	120ns
	Tipo di package	SOIC
	Tipo di driver	MOSFET
	Tempo di salita	120ns
	Tensione minima di alimentazione	-0.3V
	Numero driver	3
	Tensione massima di alimentazione	78V
	Minima temperatura operativa	-40°C
	Temperatura massima di funzionamento	125°C
	Lunghezza	4.15mm
	Altezza	1mm
	Standard/Approvazioni	No
	Tipo montaggio	Superficie
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio STMicroelectronics
	Tipo prodotto Gate driver
	Corrente di uscita 600mA
	Numero pin 28
	Tempo di discesa 120ns
	Tipo di package SOIC
	Tipo di driver MOSFET
	Tempo di salita 120ns
	Tensione minima di alimentazione -0.3V
	Numero driver 3
	Tensione massima di alimentazione 78V
	Minima temperatura operativa -40°C
	Temperatura massima di funzionamento 125°C
	Lunghezza 4.15mm
	Altezza 1mm
	Standard/Approvazioni No
	Tipo montaggio Superficie
	Standard automobilistico No

Datasheet - STDRIVE101

Il modello STDRIVE101 è un driver gate a bassa tensione adatto per azionare motori brushless trifase.

Si tratta di un chip singolo con tre driver gate half-bridge per MOSFET di potenza a canale N. Ogni driver ha una capacità di corrente di 600 mA (sink/source). Integra un regolatore lineare a bassa caduta che genera la tensione di alimentazione per i driver gate low-side e high-side attraverso un circuito bootstrap.

Il dispositivo fornisce Under Voltage Lock Out (UVLO) sia sulle sezioni a lato basso che a lato alto, impedendo agli interruttori di alimentazione di funzionare in condizioni di scarsa efficienza o pericolose.

La logica di controllo integrata nello STDRIVE101 consente due strategie di ingresso (side high e side low o abilitazione e segnali di azionamento PWM). Il metodo di azionamento è selezionato in base al pin DT/MODE. In entrambi i casi, la prevenzione della conduzione incrociata è garantita dal blocco o dal tempo morto generato internamente.

Il modello STDRIVE101 è dotato anche di una protezione di monitoraggio VDS per ogni MOSFET esterno, spegnimento termico e può essere messo in modalità standby per ridurre il consumo energetico.

Il dispositivo è disponibile in un'opzione di contenitore VFQFPN 4x4 a 24 cavi.

•Tensione d'esercizio da 5,5 a 75 V

•Capacità di corrente di dissipazione/sorgente 600 mA

•Logica di controllo a 3,3 V e 5 V

•Due strategie di ingresso:

oENx/INx con generazione di tempo morto regolabile

oINHx/INLx con blocco

•Ritardo di propagazione corrispondente per tutti i canali

•Ritardo di propagazione molto breve: 40 ns

•Diodi bootstrap integrati

•Regolatore lineare LDO da 12 V (50 mA max.)

•Monitor VDS integrato per ogni MOSFET esterno

•Comparatore di sovracorrente

•Protezione UVLO e spegnimento termico

•Modalità standby per il funzionamento a basso consumo di corrente

STMicroelectronics Gate driver MOSFET, 600 mA 3, SOIC, 28 Pin 78 V