Driver gate MOSFET TDA21242AUMA1, 40 A, 4.5 → 16V, PG-IQFN-30-2, 30-Pin

Infineon DrMOS 4.0 x 4.0 x 1.0 mm³ offre l'efficienza migliore della categoria e una perdita di potenza molto bassa. Infineon è in grado di offrire questi vantaggi combinando le tecnologie MOSFET 25V OptiMOS™ 5 di ultima generazione con il collaudato silicio driver MOSFET. Una riduzione significativa delle perdite di commutazione consente un'efficienza superiore a frequenze di commutazione più elevate. Il funzionamento a frequenza di commutazione più elevata, combinato con un contenitore estremamente piccolo, consente ai progettisti di sistemi di risparmiare spazio sulla scheda e allo stesso tempo di offrire prestazioni superiori.

Piccolo contenitore PQFN di 4 x 4 x 1.0mm³
Tecnologia di commutazione rapida per migliori prestazioni ad alta frequenza di commutazione (> 500kHz)
Tensione di ingresso consigliata da 4,5 V a 16V
Blocco di sicurezza contro sottotensione › protezione shoot-through
Tensione driver 5V ottimizzata
Compatibile con PWM standard da 3,3 V.