onsemi AEC-Q100 Modulo IGBT IGBT, 1.9 A 2, SOIC, 8 Pin 20V
- Codice RS:
- 221-6668P
- Codice costruttore:
- NCV57201DR2G
- Costruttore:
- onsemi
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Unità | Per unità |
|---|---|
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 221-6668P
- Codice costruttore:
- NCV57201DR2G
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | Modulo IGBT | |
| Corrente di uscita | 1.9A | |
| Numero pin | 8 | |
| Tipo di package | SOIC | |
| Tipo di driver | IGBT | |
| Numero di uscite | 2 | |
| Tempo di salita | 13ns | |
| Tensione minima di alimentazione | 20V | |
| Tensione massima di alimentazione | 20V | |
| Numero driver | 2 | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 125°C | |
| Larghezza | 4mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 5mm | |
| Altezza | 1.75mm | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Standard automobilistico | AEC-Q100 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto Modulo IGBT | ||
Corrente di uscita 1.9A | ||
Numero pin 8 | ||
Tipo di package SOIC | ||
Tipo di driver IGBT | ||
Numero di uscite 2 | ||
Tempo di salita 13ns | ||
Tensione minima di alimentazione 20V | ||
Tensione massima di alimentazione 20V | ||
Numero driver 2 | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 125°C | ||
Larghezza 4mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 5mm | ||
Altezza 1.75mm | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Standard automobilistico AEC-Q100 | ||
on Semiconductor NCx57201 è un driver gate ad alta tensione con un driver gate low side non isolato da− e un driver gate high side o low side con isolamento galvanico. È in grado di pilotare direttamente due IGBT in una configurazione half-bridge. Il driver high side isolato può essere alimentato con un alimentatore isolato o con la tecnica bootstrap dall'alimentatore low side. L'isolamento galvanico per il driver gate high side garantisce una commutazione affidabile in applicazioni ad alta potenza per IGBT che funzionano fino a 800 V, ad alta dv/dt.
Ritardo di propagazione adattato 90 ns
Filtro a larghezza di impulsi da 20 ns incorporato minimo−
Segnale di uscita invertente non−
CMTI fino a 100 kV/s.
Funzionamento affidabile per un'oscillazione negativa VS di −800 V.