Infineon AEC-Q100 Gate driver MOSFET, 200 mA 2, SOIC, 8 Pin 20 V

Visualizza Gate driver

Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*

2390,00 €

(IVA esclusa)

2915,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 5000 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
2500 +0,956 €2.390,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
223-8470
Codice costruttore:
AUIRS2301STR
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

Gate driver

Corrente di uscita

200mA

Numero pin

8

Tempo di discesa

50ns

Tipo di package

SOIC

Tipo di driver

MOSFET

Tempo di salita

220ns

Tensione minima di alimentazione

5V

Numero driver

2

Tensione massima di alimentazione

20V

Minima temperatura operativa

-40°C

Temperatura massima di funzionamento

125°C

Altezza

1.75mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Larghezza

3.99 mm

Lunghezza

4.98mm

Serie

AUIRS2301S

Tipo montaggio

Superficie

Standard automobilistico

AEC-Q100

Infineon serie AUIRS2301S è un driver IGBT e MOSFET di potenza ad alta velocità e alta tensione con canali di uscita di riferimento high-side e low-side indipendenti. Le tecnologie HVIC proprietarie e CMOS immune al latch consentono una robusta struttura monolitica. L'ingresso logico è compatibile con l'uscita CMOS o LSTTL standard

Canale flottante progettato per le operazioni bootstrap

Blocco di sicurezza contro sottotensione per entrambi i canali

Ritardo di propagazione corrispondente per entrambi i canali

Senza piombo

Conformità RoHS

Adatto per impieghi automobilistici

Link consigliati