Infineon MOSFET 1EDC60H12AHXUMA1 MOSFET, 6 A 2, DSO, 8 Pin 17V
- Codice RS:
- 226-6015
- Codice costruttore:
- 1EDC60H12AHXUMA1
- Costruttore:
- Infineon
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 226-6015
- Codice costruttore:
- 1EDC60H12AHXUMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Corrente di uscita | 6A | |
| Numero pin | 8 | |
| Tipo di package | DSO | |
| Tempo di discesa | 9ns | |
| Numero di uscite | 2 | |
| Tipo di driver | MOSFET | |
| Tempo di salita | 10ns | |
| Tensione minima di alimentazione | 15V | |
| Numero driver | 2 | |
| Tensione massima di alimentazione | 17V | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 125°C | |
| Altezza | 2.65mm | |
| Lunghezza | 7.6mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 6.4mm | |
| Serie | 1EDC60H12AH | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Corrente di uscita 6A | ||
Numero pin 8 | ||
Tipo di package DSO | ||
Tempo di discesa 9ns | ||
Numero di uscite 2 | ||
Tipo di driver MOSFET | ||
Tempo di salita 10ns | ||
Tensione minima di alimentazione 15V | ||
Numero driver 2 | ||
Tensione massima di alimentazione 17V | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 125°C | ||
Altezza 2.65mm | ||
Lunghezza 7.6mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 6.4mm | ||
Serie 1EDC60H12AH | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Standard automobilistico No | ||
Infineon 1EDCxxH12AH è un driver IGBT a canale singolo con isolamento galvanico in un contenitore PG-DSO-8-59 che fornisce una corrente di uscita fino a 10 A su pin di uscita separati. I pin logici di ingresso funzionano su un'ampia gamma di tensioni di ingresso da 3 V a 15 V utilizzando un livello di soglia CMOS scalato per supportare anche un microcontrollore da 3,3 V. Il trasferimento dei dati attraverso la barriera di isolamento è realizzato con la tecnologia dei trasformatori senza nucleo.
Driver IGBT isolato a canale singolo
Per IGBT da 600 V/650 V/1200 V, MOSFET e SiC
Corrente di Peak fino a 10 A tipica sulle uscite rail-to-rail
Uscita source e sink separata
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