Driver gate MOSFET 6ED2230S12TXUMA1, 350 mA, 20V, PG-DSO, 24-Pin

Infineon 6ED2230S12T è un IGBT ad alta tensione e alta velocità con tre canali di uscita indipendenti high side e low side di riferimento per applicazioni trifase. Le tecnologie HVIC proprietarie e CMOS immune al latch consentono una robusta struttura monolitica. L'ingresso logico è compatibile con uscite CMOS o TTL standard, fino a 3,3 V logici. Una funzione di protezione da sovracorrente di 1‐che termina tutte e sei le uscite può anche essere derivata da questa resistenza.

Completamente operativo a +1200 V.
Diodo di bootstrap rapido Ultra‐integrato
Canale flottante progettato per le operazioni bootstrap
Capacità di corrente source/sink di uscita +0,35 A/‐0,65 A