Infineon Driver MOSFET e IGBT di alimentazione IR2010STRPBF MOSFET, 3 A, SOIC, 16 Pin 200V

Questo driver MOSFET di potenza e IGBT è un IC driver gate a doppio canale progettato per azionare MOSFET di potenza e IGBT in applicazioni di commutazione ad alta tensione. Funziona a temperature industriali estreme e supporta l'uso in assemblaggi a montaggio superficiale, fornendo correnti di azionamento gate controllate e prestazioni di commutazione veloci per i sistemi di elettronica di potenza.

• Le uscite doppie forniscono una corrente di azionamento di picco di 3 A per una commutazione più rapida
• L'alimentazione minima di 10 V consente il funzionamento da guide di gate comuni
• Il tempo di salita di 10 ns riduce le perdite di transizione durante l'accensione
• limiti di tempo di caduta di 25 ns per la tensione di commutazione sui transistor
• L'alimentazione massima di 200 V fornisce capacità di azionamento gate ad alta tensione
• Il pacchetto SOIC a 16 pin consente il montaggio superficiale compatto

• Adatto per l'azionamento di gate negli stadi di potenza dell'inverter
• Ideale per il controllo degli interruttori ad alta tensione nei convertitori
• Utilizzato con array MOSFET discreti negli azionamenti per motori
• Può essere utilizzato per il controllo gate IGBT negli alimentatori
• Adatto per moduli di alimentazione compatti a montaggio superficiale

Funziona in un ampio intervallo di temperatura ambiente da -55 °C a 150 °C, supportando l'implementazione in ambienti termicamente impegnativi.

Il dispositivo è fornito in un contenitore SOIC a 16 pin progettato per l'assemblaggio a montaggio superficiale su circuiti stampati.

La disposizione a 16 pin fornisce pin separati per uscite doppie e ingressi di controllo, semplificando il routing per segnali gate isolati.

Il componente ha un'altezza totale di 2,65 mm, che deve essere presa in considerazione quando si progetta l'impilamento dei componenti e gli spazi vuoti del contenitore.