Infineon Gate driver IRS2011STRPBF MOSFET, 1 A, SOIC, 8 Pin 20V

Codice RS:: 226-6176
Codice costruttore:: IRS2011STRPBF
Costruttore:: Infineon

Infineon Gate driver IRS2011STRPBF MOSFET, 1 A, SOIC, 8 Pin 20V

Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*

1235,00 €

(IVA esclusa)

1507,50 €

(IVA inclusa)

Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €

Temporaneamente esaurito

Spedizione a partire dal 06 agosto 2027

Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità	Per unità	Per bobina*
2500 +	0,494 €	1.235,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 226-6176
Codice costruttore:: IRS2011STRPBF
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.

Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo prodotto	Gate driver
	Corrente di uscita	1A
	Numero pin	8
	Tipo di package	SOIC
	Tempo di discesa	35ns
	Numero di uscite	2
	Tipo di driver	MOSFET
	Tempo di salita	40ns
	Tensione minima di alimentazione	10V
	Tensione massima di alimentazione	20V
	Minima temperatura operativa	-40°C
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Serie	IRS2011
	Lunghezza	5mm
	Standard/Approvazioni	JEDEC JESD 47
	Altezza	1.75mm
	Larghezza	4mm
	Tipo montaggio	Superficie
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo prodotto Gate driver
	Corrente di uscita 1A
	Numero pin 8
	Tipo di package SOIC
	Tempo di discesa 35ns
	Numero di uscite 2
	Tipo di driver MOSFET
	Tempo di salita 40ns
	Tensione minima di alimentazione 10V
	Tensione massima di alimentazione 20V
	Minima temperatura operativa -40°C
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Serie IRS2011
	Lunghezza 5mm
	Standard/Approvazioni JEDEC JESD 47
	Altezza 1.75mm
	Larghezza 4mm
	Tipo montaggio Superficie
	Standard automobilistico No

Datasheet - IRS2011STRPBF

Gate driver Infineon serie IRS2011, tensione di alimentazione minima 10 V, corrente di uscita 1 A - IRS2011STRPBF

Questo driver gate fornisce funzionalità di azionamento MOSFET a doppio canale per circuiti elettronici di potenza, funzionando con un'alimentazione logica moderata e fornendo commutazione gate controllata per transistor esterni. Viene fornito come un pacchetto SOIC compatto a montaggio superficiale progettato per l'integrazione su schede popolate in cui sono richieste uscite doppie e una modesta potenza di azionamento.

Caratteristiche e vantaggi:

• Le uscite doppie forniscono un gate indipendente per MOSFET accoppiati
• La corrente di uscita di 1 A supporta la commutazione a transistor di media potenza
• Funziona con alimentazione da 10 V a 20 V per guide di sistema flessibili
• Il tempo di discesa rapido di 35 ns riduce le perdite di commutazione di spegnimento
• Il tempo di salita di 40 ns migliora la reattività e la tempistica di accensione

Applicazioni

• Adatto per fasi di conversione di potenza a doppio canale
• Ideale per topologie a mezzo ponte MOSFET complementari
• Utilizzato con stadi motore-azionamento che richiedono gate abbinati
• Può essere utilizzato per la commutazione dei regolatori in sistemi compatti
• Utilizzato per il controllo discreto del gate del transistor su assemblaggi superficiali

Quale formato di contenitore utilizza per l'assemblaggio del circuito stampato?

È fornito in un contenitore SOIC a montaggio superficiale con un conteggio a 8 pin.

Quale intervallo termico può tollerare durante il funzionamento?

Il dispositivo è progettato per funzionare da -40 °C fino a un massimo di 150 °C.

Quanto è piccolo il componente per progetti con limiti di spazio?

Il pacchetto misura 5 mm di lunghezza, 4 mm di larghezza e 1,75 mm di altezza.

È conforme alle norme di affidabilità del settore?

È conforme all'omologazione standard JEDEC JESD 47 per la qualifica dei dispositivi.