Infineon Gate driver IRS2101STRPBF MOSFET, 290 mA, SOIC, 8 Pin 600V

Codice RS:: 226-6178
Codice costruttore:: IRS2101STRPBF
Costruttore:: Infineon

Infineon Gate driver IRS2101STRPBF MOSFET, 290 mA, SOIC, 8 Pin 600V

Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*

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Codice RS:: 226-6178
Codice costruttore:: IRS2101STRPBF
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo prodotto	Gate driver
	Corrente di uscita	290mA
	Numero pin	8
	Tipo di package	SOIC
	Tempo di discesa	90ns
	Tipo di driver	MOSFET
	Numero di uscite	2
	Tempo di salita	170ns
	Tensione minima di alimentazione	10V
	Tensione massima di alimentazione	600V
	Minima temperatura operativa	-40°C
	Temperatura massima di funzionamento	125°C
	Serie	IRS
	Larghezza	4mm
	Altezza	1.75mm
	Lunghezza	5mm
	Standard/Approvazioni	RoHS Compliant
	Tipo montaggio	Superficie
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo prodotto Gate driver
	Corrente di uscita 290mA
	Numero pin 8
	Tipo di package SOIC
	Tempo di discesa 90ns
	Tipo di driver MOSFET
	Numero di uscite 2
	Tempo di salita 170ns
	Tensione minima di alimentazione 10V
	Tensione massima di alimentazione 600V
	Minima temperatura operativa -40°C
	Temperatura massima di funzionamento 125°C
	Serie IRS
	Larghezza 4mm
	Altezza 1.75mm
	Lunghezza 5mm
	Standard/Approvazioni RoHS Compliant
	Tipo montaggio Superficie
	Standard automobilistico No

Datasheet - IRS2101STRPBF

Gate driver Infineon serie IRS, tensione di alimentazione minima 10 V, tensione di alimentazione massima 600 V - IRS2101STRPBF

Questo gate driver fornisce un controllo a doppio canale per la commutazione MOSFET in applicazioni ad alta tensione, accettando un'alimentazione fino a 10 V e funzionando fino a 600 V. È fornito in un contenitore SOIC a 8 pin per montaggio superficiale ed è destinato agli utenti che necessitano di capacità di azionamento MOSFET compatte ad alta tensione in un ampio intervallo di temperatura.

Caratteristiche e vantaggi:

• La corrente di uscita di 290 mA fornisce un gate drive sufficiente per i MOSFET di media potenza
• Il tempo di salita di 170 ns consente un'accensione relativamente rapida per una commutazione efficiente
• Il tempo di discesa di 90 ns garantisce lo spegnimento tempestivo per limitare le perdite di sovrapposizione
• Il funzionamento a 600 V supporta topologie ad alta tensione
• Funziona con alimentazione a 10 V per la compatibilità con le comuni guide di controllo
• La conformità alla direttiva RoHS riduce i problemi legati alle sostanze pericolose negli assemblaggi

Applicazioni

• Adatto per alimentatori switching ad alta tensione
• Utilizzato con dispositivi MOSFET a mezzo ponte nei convertitori
• Adatto per il controllo dei gate per azionamento di motori industriali
• Utilizzato nel gate di fase di correzione del fattore di potenza
• Può essere utilizzato per implementazioni gate-drive isolate

Che tipo di contenitore e tipo di montaggio utilizza?

Viene fornito in un contenitore SOIC a 8 pin progettato per il montaggio superficiale.

Quale intervallo di temperatura ambiente può gestire?

Il dispositivo funziona in condizioni operative estreme da -40 °C a 125 °C.

Quante uscite indipendenti sono disponibili?

Sono disponibili due uscite per il controllo di doppio MOSFET.

È adatto per l'uso in applicazioni automobilistiche?

Non è classificato come dispositivo standard automobilistico.