Modulo driver IGBT NCD57090EDWR2G, 6,5 A, 20V, SOIC, 8-Pin

La serie NCD57090E on Semiconductor è costituita da gate driver IGBT a canale singolo con corrente elevata di 5−con isolamento galvanico interno di 5 kVrms, progettati per un'elevata efficienza del sistema e affidabilità in applicazioni ad alta potenza. I dispositivi accettano ingressi complementari e, a seconda della configurazione dei pin, offrono opzioni come il morsetto attivo Miller (NCD57090E). Il modello NCD57090E può ospitare un'ampia gamma di tensioni di polarizzazione in ingresso e livelli di segnale da 3,3 V a 20 V.

Migliora l'efficienza del sistema
Brevi ritardi di propagazione con accoppiamento preciso
Migliora l'integrità del segnale PWM
Elevata immunità ai transienti e ai disturbi elettromagnetici
Robustezza in applicazioni di commutazione ad alta tensione e corrente elevata con velocità di risposta rapida
Isolamento galvanico on-chip da 5 kVrms
Consente di risparmiare sui costi e lo spazio sulla scheda offrendo al contempo prestazioni migliori rispetto ai driver ottici
Ampia gamma di tensioni di polarizzazione e gamma di tensioni di ingresso
Offre flessibilità di progettazione del sistema e consente l'uso di guide di tensione di sistema comunemente disponibili
Morsetto Miller attivo o tensione gate negativa o uscite separate
Offre una scelta nella scelta della funzione giusta in un contenitore compatto