Driver gate MOSFET DHP1050N10N5AUMA1, 5 A, 8 → 17V, PQFN, 36-Pin

Stadio di potenza integrato half-bridge Infineon da 100 V progettato per applicazioni Advanced DC-DC converter come i convertitori di bus per telecomunicazioni. Con un requisito sempre crescente di maggiore densità di potenza e ingombro ridotto per i più recenti convertitori di telecomunicazione c.c.-c.c., DHP1050N10N5 utilizza il più recente progresso nel silicio per offrire una soluzione in grado di soddisfare questi difficili parametri di progettazione, migliorando al contempo prestazioni e affidabilità.

Ritardo di propagazione rapido
Supporta la frequenza di funzionamento fino a 1 MHz
Capacità di corrente inversa di -5 A pin di uscita
Gate driver high-side e low-side controllati in modo indipendente