Modulo Driver gate MASTERGAN5TR, 3.3 → 15V, QFN, 31-Pin

Il dispositivo STMicroelectronics MASTERGAN5TR è un driver half-bridge da 600 V ad alta densità di potenza con due HEMT di potenza GAN modalità potenziata. MASTERGAN5 è un sistema in contenitore Advanced Power che integra un driver gate e due transistor di potenza GAN Enhancement Mode in configurazione half-bridge. La potenza integrata Gans ha una tensione di blocco drain-source di 650 V e RDS(ON) di 450 mΩ, mentre il lato alto del gate driver incorporato può essere facilmente alimentato dal diodo bootstrap integrato. Si tratta di un driver half-bridge a 600 V ad alta densità di potenza con due HEMT di potenza GAN modalità potenziata.

Capacità di corrente inversa
Zero perdite di recupero inverso
Protezione UVLO sul lato basso e sul lato alto
Diodo di bootstrap interno
Funzione di blocco interno
Corrispondenza precisa della fasatura interna
Ingressi compatibili da 3,3 V a 15 V con isteresi e pull-down