Driver gate MOSFET NCV57090FDWR2G, 6,5 A, 22V, SOIC, 8-Pin

on Semiconductor NCV57090FDWR2G è un gate driver IGBT/MOSFET a canale singolo ad alta corrente di 5−con isolamento galvanico interno di 5 kVrms, progettato per un'elevata efficienza del sistema e affidabilità in applicazioni ad alta potenza. I dispositivi accettano ingressi complementari e, a seconda della configurazione dei pin, offrono opzioni come il morsetto attivo Miller per la massima praticità di progettazione del sistema. È dotato di una bassa caduta di tensione del morsetto che elimina la necessità di un alimentatore negativo per evitare l'accensione di gate spurie−. Il driver può ospitare un'ampia gamma di tensioni di polarizzazione in ingresso e livelli di segnale da 3,3 V a 20 V e sono disponibili in un contenitore SOIC−8 con corpo ampio−.

Ha un'elevata corrente di uscita di Peak (+6,5 A/−6,5 A)
Fornisce brevi ritardi di propagazione con accoppiamento preciso
Offre il bloccaggio del gate IGBT/MOSFET durante il cortocircuito