Microchip MOSFET MOSFET, 1.2 A, DIP, 8 Pin 18 V
- Codice RS:
- 236-8954
- Codice costruttore:
- TC1427CPA
- Costruttore:
- Microchip
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|---|---|---|
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- Codice RS:
- 236-8954
- Codice costruttore:
- TC1427CPA
- Costruttore:
- Microchip
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Microchip | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Corrente di uscita | 1.2A | |
| Numero pin | 8 | |
| Tipo di package | DIP | |
| Tempo di discesa | 25ns | |
| Tipo di driver | MOSFET | |
| Tempo di salita | 35ns | |
| Tensione minima di alimentazione | 18V | |
| Tensione massima di alimentazione | 18V | |
| Minima temperatura operativa | 0°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 70°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Serie | TC1427 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Microchip | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Corrente di uscita 1.2A | ||
Numero pin 8 | ||
Tipo di package DIP | ||
Tempo di discesa 25ns | ||
Tipo di driver MOSFET | ||
Tempo di salita 35ns | ||
Tensione minima di alimentazione 18V | ||
Tensione massima di alimentazione 18V | ||
Minima temperatura operativa 0°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 70°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Serie TC1427 | ||
Standard automobilistico No | ||
I driver Microchip 1.2 A doppia alta velocità sono costituiti da fabbricazione CMOS e utilizzati per un basso consumo energetico e un'elevata efficienza. Questi dispositivi sono fabbricati utilizzando uno strato epitassiale per cortocircuitare efficacemente il transistor parassita intrinseco responsabile del latch-up CMOS. Incorporano una serie di altri miglioramenti di progettazione e processo per aumentare la loro affidabilità a lungo termine. Le specifiche sono state ottimizzate per ottenere dispositivi a basso costo e ad alte prestazioni, particolarmente adatti per i produttori di grandi volumi.
Basso costo
La protezione latch-up resiste a 500 ma
Corrente di uscita inversa
Protezione ESD ±2 kV
Corrente di uscita di Peak elevata: 1,2 A.
Ampia gamma di funzionamento
Elevata capacità di pilotaggio del carico capacitivo 1000 pF in 38 n sec
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