Driver gate MOSFET STGAP2SICDTR, CMOS, TTL, 4 A, 3.1 V, 5.5 V, SO-36W, 36-Pin

Il dispositivo STMicroelectronics STGAP2SiCD è un driver a doppio gate per MOSFET SiC che fornisce isolamento galvanico tra ciascun canale di pilotaggio gate e il controllo a bassa tensione e i circuiti di interfaccia. Il driver gate è caratterizzato da una capacità di corrente di 4 A e uscite rail-to-rail, il che lo rende adatto per applicazioni a media e alta potenza come la conversione di potenza e inverter per azionamenti per motori industriali. I pin di uscita separati consentono di ottimizzare in modo indipendente accensione e spegnimento utilizzando resistenze gate dedicate, mentre la funzione MORSETTO Miller consente di evitare i picchi di gate durante le commutazioni rapide in topologie half-bridge. Il dispositivo integra funzioni di protezione: Sono disponibili pin SD dedicati E FRENO, UVLO e lo spegnimento termico sono inclusi per progettare facilmente sistemi ad alta affidabilità.

MORSETTO Miller da
Funzione UVLO
Funzione di blocco interno configurabile
Pin SD e FRENO dedicati
Tensione di pilotaggio gate fino a 26 V.
Ingressi TTL/CMOS a 3,3 V o 5 V con isteresi
Protezione contro lo spegnimento a temperatura
Funzione di standby
Isolamento galvanico 6 kV
Corpo largo SO-36W

Nelle topologie half-bridge la funzione di interblocco impedisce alle uscite di essere elevate allo stesso tempo, evitando condizioni shoot-through in caso di comandi di ingresso logico errati. La funzione di interblocco può essere disabilitata da un pin di configurazione dedicato, consentendo il funzionamento indipendente e parallelo dei due canali. I risultati del ritardo di propagazione da ingresso a uscita sono contenuti in 75 ns, fornendo un'elevata precisione di controllo PWM. È disponibile una modalità standby per ridurre il consumo energetico in stato di inattività.