Modulo Driver gate 2EDL05N06PJXUMA1, CMOS, 500 mA, 600V, DSO-14, 14-Pin

Il driver gate half-bridge da 650 V Infineon con diodo bootstrap integrato è dotato dell'esclusiva tecnologia Infineon Thin-Film-Silicon on Insulator (SOI) che fornisce un'eccellente robustezza e immunità al rumore. Gli ingressi logici di trigger Schmitt sono compatibili con la logica CMOS o LSTTL standard fino a 3,3 V. I driver di uscita sono dotati di uno stadio buffer a corrente di impulso elevata progettato per una conduttività trasversale minima del driver. Il canale flottante può essere utilizzato per azionare un MOSFET di potenza a canale N o un IGBT nella configurazione high side che funziona fino a 600 V. Inoltre, la funzione di bloccaggio offline fornisce una protezione intrinseca dell'accensione parassita mediante condizioni di gate flottante quando l'IC non è fornito.

Tecnologia SOI a film sottile Infineon
Pienamente operativo fino a +600 V
Canale flottante progettato per il funzionamento bootstrap
Gamma di alimentazione dell'azionamento del gate da 10 V a 20 V
Blocco di sicurezza contro sottotensione per entrambi i canali
3,3 V, 5 V e 15 V, compatibile con la logica di ingresso
Conformità RoHS