Driver gate MOSFET NCP51561BADWR2G, 5V, SOIC, 16-Pin

Il driver gate IGBT/MOSFET a corrente elevata isolato on Semiconductor è un canale singolo ad alta corrente da−. Gate driver IGBT/MOSFET con isolamento galvanico interno di 5 kVrms, progettati per un'elevata efficienza del sistema e affidabilità in applicazioni ad alta potenza. I dispositivi accettano ingressi complementari e, a seconda della configurazione dei pin, offrono opzioni come morsetto attivo Miller (versione A/D/F), alimentatore negativo (versione B) e uscite driver separate alto e basso (OUTL e OUTL) (versione C/e) per la massima praticità di progettazione del sistema. Il driver può ospitare un'ampia gamma di tensioni di polarizzazione in ingresso e livelli di segnale da 3,3 V 20V a 6 V e sono disponibili in un contenitore SOIC−8 con corpo ampio−.

Corrente di uscita Peak elevata (+6,5 A/−6,5 A)
La bassa caduta di tensione del morsetto elimina la necessità di un alimentatore negativo per evitare l'accensione spuria del gate−(versione A/D/F)
Brevi ritardi di propagazione con accoppiamento preciso
IGBT/MOSFET, bloccaggio del gate in caso di cortocircuito
Pull down attivo IGBT/MOSFET Gate
Soglie UVLO strette per una maggiore flessibilità di polarizzazione
Ampia gamma di tensione di polarizzazione, tra cui VEE2 negativo (versione B)
Ingresso logico da 3,3 V, 5 V e 15 V.
Isolamento galvanico da 5 kVrms
Elevata immunità transitoria
Elevata immunità ai disturbi elettromagnetici