Specifications

Technical Reference

Legislation and Compliance

Product Details

Find similar products by selecting one or more attributes.

Select all	Attribute	Value
	Marchio	onsemi
	Tipo prodotto	MOSFET
	Corrente di uscita	6.5A
	Numero pin	16
	Tempo di discesa	16ns
	Tipo di package	SOIC
	Tipo di driver	MOSFET
	Tempo di salita	19ns
	Tensione minima di alimentazione	5V
	Tensione massima di alimentazione	5V
	Minima temperatura operativa	-40°C
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Serie	NCP51
	Standard/Approvazioni	No
	Standard automobilistico	No

	Select all
	Marchio onsemi
	Tipo prodotto MOSFET
	Corrente di uscita 6.5A
	Numero pin 16
	Tempo di discesa 16ns
	Tipo di package SOIC
	Tipo di driver MOSFET
	Tempo di salita 19ns
	Tensione minima di alimentazione 5V
	Tensione massima di alimentazione 5V
	Minima temperatura operativa -40°C
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Serie NCP51
	Standard/Approvazioni No
	Standard automobilistico No

Datasheet - NCP51561BBDWR2G

Il driver gate IGBT/MOSFET a corrente elevata isolato on Semiconductor è un canale singolo ad alta corrente da−. Gate driver IGBT/MOSFET con isolamento galvanico interno di 5 kVrms, progettati per un'elevata efficienza del sistema e affidabilità in applicazioni ad alta potenza. I dispositivi accettano ingressi complementari e, a seconda della configurazione dei pin, offrono opzioni come morsetto attivo Miller (versione A/D/F), alimentatore negativo (versione B) e uscite driver separate alto e basso (OUTL e OUTL) (versione C/e) per la massima praticità di progettazione del sistema. Il driver può ospitare un'ampia gamma di tensioni di polarizzazione in ingresso e livelli di segnale da 3,3 V 20V a 6 V e sono disponibili in un contenitore SOIC−8 con corpo ampio−.

Corrente di uscita Peak elevata (+6,5 A/−6,5 A)

La bassa caduta di tensione del morsetto elimina la necessità di un alimentatore negativo per evitare l'accensione spuria del gate−(versione A/D/F)

Brevi ritardi di propagazione con accoppiamento preciso

IGBT/MOSFET, bloccaggio del gate in caso di cortocircuito

Pull down attivo IGBT/MOSFET Gate

Soglie UVLO strette per una maggiore flessibilità di polarizzazione

Ampia gamma di tensione di polarizzazione, tra cui VEE2 negativo (versione B)

Ingresso logico da 3,3 V, 5 V e 15 V.

Isolamento galvanico da 5 kVrms

Elevata immunità transitoria

Elevata immunità ai disturbi elettromagnetici

Units	Per unit
1 - 9	3,41 €
10 - 99	2,94 €
100 - 499	2,54 €
500 +	2,24 €

onsemi No MOSFET NCP51561BBDWR2G MOSFET, 6.5 A, SOIC, 16 Pin 5 V

Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €

Related links