Driver gate MOSFET NCV57091BDWR2G, 6,5 A, 22V, SOIC, 8-Pin

I driver gate on Semiconductor sono driver gate a canale doppio isolato da−−con 4,5−A/9 di corrente di Peak source e sink rispettivamente. Sono progettati per la commutazione rapida per azionare MOSFET di potenza e interruttori di potenza MOSFET SiC. Il modello NCP51561 offre ritardi di propagazione brevi e abbinati. Due indipendenti e isolamento galvanico interno di 5 kVrms dall'ingresso a ciascuna uscita e isolamento funzionale interno tra i due driver di uscita consente una tensione di esercizio fino a 1500 V c.c. Questo driver può essere utilizzato in qualsiasi configurazione possibile di due interruttori lato basso, due interruttori lato alto−o un driver ponte a mezzo−con tempo morto programmabile. Un pin ENA/DIS spegne entrambe le uscite contemporaneamente quando è impostato un valore basso o alto per la modalità DI ABILITAZIONE o DISABILITAZIONE, rispettivamente. Il modello NCP51561 offre altre importanti funzioni di protezione, come ad esempio blocco di sicurezza indipendente contro sottotensione e tensione di−per driver gate e funzione di regolazione del tempo di inattività.

Sorgente di Peak Source 4,5 A, capacità di corrente di uscita Peak sink 9 A.
Flessibile: Doppio driver gate laterale basso−−, doppio driver gate laterale alto−o half bridge
Protezioni UVLO indipendenti per entrambi i driver di uscita
Tensione di alimentazione di uscita da 6,5 V a 30 V con 5−V e 8−V per MOSFET, 13−V e 17−V UVLO per SiC, soglie.
Immunità transitoria in modalità comune CMTI > 200 V/ns
Ritardo di propagazione tipico 36 ns con 5 ns Max Delay Matching per canale e 5 ns Max Pulse−Width Distortion
Logica di ingresso programmabile dall'utente modalità di ingresso singolo o doppio−tramite ANB e MODALITÀ DI ATTIVAZIONE o DISATTIVAZIONE
Tempo di inattività programmabile dall'utente−