DiodesZetex AEC-Q101 Modulo Driver gate, 690 mA 2, SOIC, 8 Pin 624 V
- Codice RS:
- 246-6757
- Codice costruttore:
- DGD2190MS8-13
- Costruttore:
- DiodesZetex
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,938 € | 2.345,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 246-6757
- Codice costruttore:
- DGD2190MS8-13
- Costruttore:
- DiodesZetex
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli Prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | DiodesZetex | |
| Tipo prodotto | Modulo Driver gate | |
| Corrente di uscita | 690mA | |
| Numero pin | 8 | |
| Tempo di discesa | 20ns | |
| Tipo di package | SOIC | |
| Tensione minima di alimentazione | -0.3V | |
| Tensione massima di alimentazione | 624V | |
| Numero driver | 2 | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 125°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio DiodesZetex | ||
Tipo prodotto Modulo Driver gate | ||
Corrente di uscita 690mA | ||
Numero pin 8 | ||
Tempo di discesa 20ns | ||
Tipo di package SOIC | ||
Tensione minima di alimentazione -0.3V | ||
Tensione massima di alimentazione 624V | ||
Numero driver 2 | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 125°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
DiodesZetex è un driver gate ad alta tensione/alta velocità in grado di azionare MOSFET a canale N in una configurazione half-bridge. Le tecniche di elaborazione ad alta tensione consentono al lato alto del DGD2005 di passare a 200 V in un funzionamento bootstrap. Il ritardo di propagazione di 30 ns (massimo) tra i driver high-side e low-side consente la commutazione ad alta frequenza. DGD2005 è disponibile in un contenitore SO-8 salvaspazio e funziona su una gamma di temperature estesa da -40 °C a +125 °C.
Ampia tensione di alimentazione del driver gate lato basso da 10 V a 20 V Driver flottante lato alto in funzionamento bootstrap a 600 V Aziona 2 MOSFET a canale N in una configurazione half-bridge Blocco sottotensione per driver lato alto e lato basso Gamma di temperatura estesa da -40 °C a +125 °C
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