Driver gate MOSFET BD2320EFJ-LAE2, 4,5 A, 32V, HTSOP-J8

Il driver high-side e low-side ad alta frequenza ROHM è un driver gate high-side e low-side a tensione massima di 100 V in grado di azionare N-FET esterni utilizzando il metodo bootstrap. Il driver include un diodo bootstrap da 100 V e il controllo di ingressi indipendenti per il lato alto e il lato basso. Sono disponibili 3,3 V e 5 V per la tensione di interfaccia. I circuiti di bloccaggio per sottotensione sono incorporati per il lato alto e il lato basso.

Prodotto di supporto a lungo termine per applicazioni industriali con blocco sottotensione (UVLO) per driver high-side e low-side con tensione di uscita di interfaccia 3,3 V e 5,0 V in fase con segnale di ingresso