Modulo Driver gate HIP2100IBZT7A, CMOS, 9 → 14V cc, SOIC, 8-Pin

Il driver a mezzo ponte Renesas è un IC driver MOSFET di potenza a canale N a mezzo ponte ad alta frequenza da 100 V. I driver gate low-side e high-side sono controllati in modo indipendente e abbinati a 8 ns. Ciò offre all'utente la massima flessibilità nella selezione del tempo morto e nel protocollo del driver. La protezione contro la sottotensione su entrambe le alimentazioni low-side e high-side costringe le uscite a scendere in basso. Un diodo on-chip elimina il diodo discreto richiesto con altri IC driver. Una nuova topologia di commutazione di livello offre i vantaggi di bassa potenza del funzionamento a impulsi con la sicurezza del funzionamento c.c. A differenza di alcuni concorrenti, l'uscita high-side ritorna al suo stato corretto dopo una sottotensione momentanea dell'alimentazione high-side.

Aziona un MOSFET a canale N half-bridge
senza piombo (conforme a RoHS)
Tensione di alimentazione max bootstrap a 114 V
COn-chip diodo
bootstrap da 1 Ω Tempi di propagazione rapidi per circuiti multi-MHz
Aziona un carico di 1000 pF con tempi di salita e caduta tipici di 10 ns
soglie di ingresso CMOS per una migliore immunità
al rumore Basso consumo
energetico Ampia
gamma di alimentazione Protezione da sottotensione