Infineon Gate driver Lato alto, 2.3 A, SOIC, 8 Pin 600 V
- Codice RS:
- 257-5862P
- Codice costruttore:
- IRS2181SPBF
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità |
|---|---|
| 20 - 48 | 2,015 € |
| 50 - 98 | 1,90 € |
| 100 - 198 | 1,75 € |
| 200 + | 1,64 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 257-5862P
- Codice costruttore:
- IRS2181SPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | Gate driver | |
| Corrente di uscita | 2.3A | |
| Numero pin | 8 | |
| Tipo di package | SOIC | |
| Tempo di discesa | 20ns | |
| Tipo di driver | Lato alto | |
| Tempo di salita | 60ns | |
| Tensione minima di alimentazione | 10V | |
| Tensione massima di alimentazione | 600V | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Serie | IRS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto Gate driver | ||
Corrente di uscita 2.3A | ||
Numero pin 8 | ||
Tipo di package SOIC | ||
Tempo di discesa 20ns | ||
Tipo di driver Lato alto | ||
Tempo di salita 60ns | ||
Tensione minima di alimentazione 10V | ||
Tensione massima di alimentazione 600V | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Serie IRS | ||
Standard automobilistico No | ||
I driver Infineon high side e low side sono driver per MOSFET e IGBT di potenza ad alta tensione e alta velocità con canali di uscita indipendenti riferiti al lato alto e basso. Le tecnologie proprietarie HVIC e CMOS immune al blocco consentono una struttura monolitica robusta. L'ingresso logico è compatibile con l'uscita CMOS o LSTTL standard, fino alla logica da 3,3 V. I driver di uscita sono dotati di uno stadio tampone ad alta corrente di impulso progettato per ridurre al minimo la conduzione incrociata del driver. Il canale flottante può essere utilizzato per azionare un MOSFET di potenza a canale N o un IGBT nella configurazione high-side che funziona fino a 600 V.
Canale flottante progettato per il funzionamento con bootstrap
Completamente operativo fino a +600 V
Tollerante alle tensioni transitorie negative, immune a dV/dt
Gamma di alimentazione dell'azionamento gate da 10 V a 20 V
Blocco sottotensione per entrambi i canali
Compatibile con logica di ingresso 33 V e 5 V
Ritardo di propagazione corrispondente per entrambi i canali
Messa a terra logica e di potenza +/- 5 V offset
Driver gate di di/dt inferiore per una migliore immunità al rumore
Sorgente di uscita/corrente di dissipazione 14 A/18 A
