Modulo Driver gate IRS2108SPBF, CMOS, LSTTL, 600 mA, 10 → 20V, SOIC a 8 conduttori, 8-Pin

I driver a semiponte Infineon sono driver per MOSFET e IGBT di potenza ad alta tensione e ad alta velocità con canali di uscita dipendenti riferiti al lato alto e basso. Le tecnologie proprietarie HVIC e CMOS immune al blocco consentono una struttura monolitica robusta. L'ingresso logico è compatibile con l'uscita CMOS o LSTTL standard, fino alla logica da 3,3 V. I driver di uscita sono dotati di uno stadio tampone ad alta corrente di impulso progettato per ridurre al minimo la conduzione incrociata del driver. Il canale flottante può essere utilizzato per pilotare un MOSFET di potenza a canale N o un IGBT nella configurazione high-side, che funziona fino a 600 V.

Tollerante alle tensioni transitorie negative, immune a dV/dt
Gamma di alimentazione dell'azionamento gate da 10 V a 20 V
Blocco sottotensione per entrambi i canali
Compatibile con ingresso logico a 33 V, 5 V e 15 V
Logica di prevenzione della conduzione incrociata
Ritardo di propagazione corrispondente per entrambi i canali
Uscita high-side in fase con ingresso HIN
Uscita low-side fuori fase con ingresso LIN
Messa a terra logica e di potenza +/- 5 V offset