Modulo Driver gate 2ED2184S06FXUMA1, CMOS, LSTTL, 2,5 A, 10 → 20V, DSO

Il driver gate a corrente elevata e ad alta velocità a mezzo ponte da 650 V Infineon per MOSFET e IGBT, con corrente di dissipazione e sorgente da 2,5 A in contenitore DSO-8. Basato sulla tecnologia SOI Infineon, con un'eccellente robustezza e immunità al rumore contro le tensioni transitorie negative sul pin VS. Nessuna struttura a tiristore parassita è presente nel dispositivo, pertanto nessun blocco parassita in tutte le condizioni di temperatura e tensione.

Immunità ai transienti VS negativa di 100 V
Diodo bootstrap integrato ultrarapido a bassa resistenza, per ridurre il costo BOM
Canale flottante progettato per il funzionamento con bootstrap
Protezione a scatto integrata con tempo morto incorporato (400 ns)
Tensione di alimentazione massima di 25 V
Perdite di spostamento di livello inferiori del 50%