Modulo Driver gate IR2103STRPBF, CMOS, SOIC 8N, 8-Pin

I driver half-bridge Infineon sono driver IGBT e MOSFET di potenza ad alta velocità ad alta tensione con canali di uscita ad alto e basso lato di riferimento dipendenti. Le tecnologie proprietarie HVIC e CMOS immune al blocco consentono una struttura monolitica robusta. L'ingresso logico è compatibile con l'uscita CMOS o LSTTL standard, fino a 3,3 V logica. I driver di uscita sono dotati di uno stadio buffer a corrente di impulsi elevata progettato per una conduttività trasversale minima del driver. Il canale flottante può essere utilizzato per azionare un MOSFET di potenza a canale N o un IGBT nella configurazione high side che funziona fino a 600 volt.

Canale flottante progettato per il funzionamento con bootstrap
Completamente operativo fino a +600 V
Tollerante alle tensioni transitorie negative
Immunità dV/dt
Gamma di alimentazione dell'azionamento gate da 10 a 20 V
Blocco sottotensione