Modulo Driver gate IRS2005STRPBF, CMOS, LSTTL, SOIC, 8-Pin

L'IC driver gate lato alto e basso da 200 V Infineon EiceDRIVER con correnti di sorgente 0,29 A e corrente di dissipazione 0,6 A in un contenitore SOIC a 8 conduttori per IGBT e MOSFET. Disponibile anche in contenitore MLPQ 4x4 a 14 conduttori. L'IC driver gate lato alto e basso è un driver MOSFET isolato a giunzione di spostamento di livello da 200 V con canali di uscita con riferimento lato alto e basso dipendenti. Le tecnologie proprietarie HVIC e CMOS immune al blocco consentono una struttura monolitica robusta. L'ingresso logico è compatibile con l'uscita CMOS o LSTTL standard, fino alla logica da 3,3 V. I driver di uscita sono dotati di uno stadio buffer a corrente di impulsi elevata progettato per una conduttività trasversale minima del driver. Il canale flottante può essere utilizzato per azionare un MOSFET di potenza a canale N nella configurazione high side che funziona fino a 200 V. I ritardi di propagazione sono abbinati per semplificare l'uso dell'HVIC in applicazioni ad alta frequenza.

Blocco sottotensione per VCC, VBS
Ingresso logico compatibile con 3,3 V, 5 V e 15 V
Tollerante alle tensioni transitorie negative
Ritardo di propagazione corrispondente
Progettato per l'uso con alimentatori bootstrap
Uscita in fase con gli ingressi
Intervallo di funzionamento da -40 °C a 125 °C