Infineon No Modulo Driver gate Driver gate, 600 mA, SOIC, 8 Pin 200 V
- Codice RS:
- 258-4003P
- Codice costruttore:
- IRS2008STRPBF
- Costruttore:
- Infineon
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|---|---|
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- Codice RS:
- 258-4003P
- Codice costruttore:
- IRS2008STRPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | Modulo Driver gate | |
| Corrente di uscita | 600mA | |
| Numero pin | 8 | |
| Tipo di package | SOIC | |
| Tempo di discesa | 30ns | |
| Tipo di driver | Driver gate | |
| Tempo di salita | 170ns | |
| Tensione minima di alimentazione | 25V | |
| Tensione massima di alimentazione | 200V | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Serie | IRS | |
| Standard/Approvazioni | RoHS Compliant | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto Modulo Driver gate | ||
Corrente di uscita 600mA | ||
Numero pin 8 | ||
Tipo di package SOIC | ||
Tempo di discesa 30ns | ||
Tipo di driver Driver gate | ||
Tempo di salita 170ns | ||
Tensione minima di alimentazione 25V | ||
Tensione massima di alimentazione 200V | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Serie IRS | ||
Standard/Approvazioni RoHS Compliant | ||
Standard automobilistico No | ||
Il driver half-bridge Infineon è un driver IGBT e MOSFET di potenza ad alta velocità e ad alta tensione con canali di uscita con riferimento lato alto e basso dipendenti. Le tecnologie proprietarie HVIC e CMOS immune al blocco consentono una struttura monolitica robusta. L'ingresso logico è compatibile con l'uscita CMOS o LSTTL standard, fino alla logica da 3,3 V. I driver di uscita sono dotati di uno stadio buffer a corrente di impulsi elevata progettato per una conduzione incrociata minima del driver. Il canale flottante può essere utilizzato per azionare un MOSFET di potenza a canale N o IGBT nella configurazione high side che funziona fino a 200 V. I ritardi di propagazione sono abbinati per semplificare l'uso dell'HVIC in applicazioni ad alta frequenza.
L'unità gate alimenta fino a 20 V per canale
Blocco sottotensione per VCC, VBS
Tollerante alle tensioni transitorie negative
Progettato per l'uso con alimentatori bootstrap
Logica di prevenzione della conduzione incrociata
Ritardo di propagazione corrispondente per entrambi i canali
Tempo di attesa impostato internamente
Uscita high-side in fase con ingresso