Gate logico MC74VHC04DTR2G 6 Inverter onsemi, 6 in, 5.5V, 2 V, 14 Pin, TSSOP
- Codice RS:
- 186-8644
- Codice costruttore:
- MC74VHC04DTR2G
- Costruttore:
- onsemi
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- Codice RS:
- 186-8644
- Codice costruttore:
- MC74VHC04DTR2G
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Funzione logica | Inverter | |
| Tipo prodotto | Gate logico | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero elementi | 6 | |
| Numero ingressi per gate | 6 | |
| Ingresso trigger di Schmitt | No | |
| Tipo di package | TSSOP | |
| Numero pin | 14 | |
| Famiglia logica | VHC | |
| Tipo di ingresso | CMOS | |
| Ritardo di propagazione massimo @ CL | 8.5ns | |
| Corrente massima di uscita ad alto livello | -24mA | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 85°C | |
| Lunghezza | 5.1mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 1.05mm | |
| Tensione massima di alimentazione | 5.5V | |
| Tensione minima di alimentazione | 2V | |
| Corrente massima di uscita a basso livello | 24mA | |
| Standard automobilistico | AEC-Q100 | |
| Tipo uscita | TTL bipolare Schottky | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Funzione logica Inverter | ||
Tipo prodotto Gate logico | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero elementi 6 | ||
Numero ingressi per gate 6 | ||
Ingresso trigger di Schmitt No | ||
Tipo di package TSSOP | ||
Numero pin 14 | ||
Famiglia logica VHC | ||
Tipo di ingresso CMOS | ||
Ritardo di propagazione massimo @ CL 8.5ns | ||
Corrente massima di uscita ad alto livello -24mA | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 85°C | ||
Lunghezza 5.1mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 1.05mm | ||
Tensione massima di alimentazione 5.5V | ||
Tensione minima di alimentazione 2V | ||
Corrente massima di uscita a basso livello 24mA | ||
Standard automobilistico AEC-Q100 | ||
Tipo uscita TTL bipolare Schottky | ||
L'MC74VHC04 è un Advanced High Speed CMOS inverter costruito con tecnologia CMOS gate in silicio. Consente un funzionamento ad alta velocità simile all'equivalente Bipolar Schottky TTL mantenendo bassa la dissipazione di potenza del CMOS. Il circuito interno è composto da tre stadi, tra cui un'uscita buffer che fornisce elevata immunità al rumore e una uscita stabile. Gli ingressi tollerano tensioni fino a 7V, consentendo l'interfaccia di sistemi a 5V con sistemi a 3V.
Alta velocità: TPD = 3.8ns (Typ) a VCC = 5V.
Dissipazione a bassa potenza: ICC = 2 μA (max) a TA = 25 C.
Elevata immunità al rumore: VNIH = VNIL = 28% VCC
Protezione di spegnimento fornita sugli ingressi
Ritardi di propagazione bilanciati
Progettato per la gamma operativa da 2 V a 5,5 V.
Basso rumore: VolP = 0,8 V (max)
Pin e funzione compatibili con altre famiglie di logica standard
Prestazioni Latchup superiori a 300 mA
Prestazioni ESD: HBM> 2000V, Modello macchina> 200V.
Complessità del chip: Gates equivalenti a 36 FET o a 9
Questi dispositivi sono disponibili in pacchetti privi di Pb. Le specifiche qui riportate si applicano sia ai dispositivi standard che a quelli privi di Pb.
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