Gate logico Dual NAND onsemi, 3 V → 18 V, 14 Pin, SOIC

Queste Gates NAND a 4 ingressi doppie sono costruite con dispositivi di modo ad arricchimento di canale P e N in una struttura monolitica singola (MOS Complementary). Il loro uso primario è dove si desidera una bassa dissipazione di potenza e/o un'elevata immunità al rumore.

Gamma di tensione di alimentazione = da 3,0 V c.c. a 18 V c.c.
Tutte le uscite bufferizzate
In grado di guidare due carichi TTL a bassa potenza o un carico TTL Schottky a bassa potenza oltre la gamma di temperatura nominale
Protezione a doppio diodo su tutti gli ingressi
Sostituzioni pin-per-pin per i dispositivi con suffisso CD4000 Serie B corrispondenti
Sono disponibili contenitori senza piombo

Famiglia logica 4000 CMOS, ON Semiconductor

Dispositivi della famiglia CMOS
Ampia gamma di tensioni d'esercizio: 3 a 18 V