Micro SD Transcend Interno 2 TB NVMe PCIe Gen 4 x 4
- Codice RS:
- 245-0044
- Codice costruttore:
- TS2TMTE710T
- Costruttore:
- Transcend
Non disponibile
RS non distribuirà più questo prodotto.
- Codice RS:
- 245-0044
- Codice costruttore:
- TS2TMTE710T
- Costruttore:
- Transcend
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Transcend | |
| Tipo di disco rigido | Dischi rigidi | |
| Modello | MTE710T | |
| Interno/Esterno | Interno | |
| Industriali | Sì | |
| Formato | M.2 | |
| Capacità | 2 TB | |
| Interfaccia | NVMe PCIe Gen 4 x 4 | |
| Tipo Nand | 3D | |
| Gamma di temperatura | -40 → +85°C | |
| Dimensioni | 80 x 22 x 3.58mm | |
| Lunghezza | 80mm | |
| Larghezza | 22mm | |
| Peso | 10g | |
| Altezza | 3.58mm | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Transcend | ||
Tipo di disco rigido Dischi rigidi | ||
Modello MTE710T | ||
Interno/Esterno Interno | ||
Industriali Sì | ||
Formato M.2 | ||
Capacità 2 TB | ||
Interfaccia NVMe PCIe Gen 4 x 4 | ||
Tipo Nand 3D | ||
Gamma di temperatura -40 → +85°C | ||
Dimensioni 80 x 22 x 3.58mm | ||
Lunghezza 80mm | ||
Larghezza 22mm | ||
Peso 10g | ||
Altezza 3.58mm | ||
- Paese di origine:
- TW
Unità con memoria a stato solido Transcend, capacità 2 TB, interfaccia NVMe PCIe Gen 4 x 4 - TS2TMTE710T
Questa unità con memoria a stato solido offre un'archiviazione ad alte prestazioni con una capacità di 2 TB. Utilizzando l'avanzato fattore di forma M.2, misura 80 mm x 22 mm x 3,58 mm, risultando ideale per i dispositivi compatti e garantendo al contempo velocità e integrità dei dati eccezionali. Progettato per applicazioni industriali, questo convertitore di frequenza è caratterizzato da specifiche robuste che soddisfano gli ambienti più difficili.
Caratteristiche e vantaggi
• L'interfaccia PCIe Gen 4 x4 consente una rapida velocità di trasferimento dei dati
• Costruito con tecnologia 3D NAND a 112 strati per una maggiore efficienza
• La cache DRAM DDR4 integrata accelera i tempi di accesso
• Gamma di temperature elevate da -40°C a +85°C per una maggiore affidabilità
• In grado di resistere a urti di 1500 G per garantire una maggiore durata
• L'avanzato livellamento globale dell'usura aumenta la longevità dell'azionamento
• Costruito con tecnologia 3D NAND a 112 strati per una maggiore efficienza
• La cache DRAM DDR4 integrata accelera i tempi di accesso
• Gamma di temperature elevate da -40°C a +85°C per una maggiore affidabilità
• In grado di resistere a urti di 1500 G per garantire una maggiore durata
• L'avanzato livellamento globale dell'usura aumenta la longevità dell'azionamento
Applicazioni
• Utilizzato per il calcolo ad alte prestazioni nei sistemi di automazione
• Ideale per la durata nel settore industriale e meccanico
• Utilizzato nell'elettronica che richiede una rapida elaborazione dei dati
• Adatto a dispositivi con spazio limitato grazie alle sue dimensioni compatte
• Ideale per la durata nel settore industriale e meccanico
• Utilizzato nell'elettronica che richiede una rapida elaborazione dei dati
• Adatto a dispositivi con spazio limitato grazie alle sue dimensioni compatte
Quali velocità di trasferimento dati ci si può aspettare da questa unità?
L'unità può raggiungere velocità di lettura sequenziale fino a 3.800 MB/s e velocità di scrittura fino a 3.200 MB/s, migliorando in modo significativo le prestazioni complessive nelle attività ad alta intensità di dati.
In che modo l'intervallo di temperatura influisce sulla sua utilizzabilità in ambienti difficili?
Con un intervallo di temperatura operativa esteso da -40°C a +85°C, garantisce un funzionamento affidabile in condizioni estreme, rendendolo adatto agli ambienti industriali.
Quali vantaggi offre la tecnologia 3D NAND rispetto alle generazioni precedenti?
La tecnologia 3D NAND consente una maggiore densità di archiviazione, che migliora l'efficienza e le prestazioni di archiviazione, in particolare nelle applicazioni ad alta richiesta che richiedono un accesso rapido ai dati.
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