Induttore multistrato SMD TDK MHQ1005P, 6.8 nH Sì, 700 mA, case 0402, nucleo Ceramica ±5 % Multistrato 23
- Codice RS:
- 795-8319P
- Codice costruttore:
- MHQ1005P6N8JT000
- Costruttore:
- TDK
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- Codice RS:
- 795-8319P
- Codice costruttore:
- MHQ1005P6N8JT000
- Costruttore:
- TDK
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | TDK | |
| Induttanza | 6.8nH | |
| Tipo prodotto | Induttore multistrato SMD | |
| Corrente CC massima | 700mA | |
| Contenitore | 0402 | |
| Lunghezza | 1mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Schermatura | Sì | |
| Resistenza in CC massima | 140mΩ | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Numero pin | 2 | |
| Tolleranza di induttanza | ±5 % | |
| Temperatura massima di funzionamento | 125°C | |
| Serie | MHQ1005P | |
| Tipo di terminazione | Montaggio superficiale | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Materiale nucleo | Ceramica | |
| Altezza | 0.5mm | |
| Profondità | 0.5mm | |
| Frequenza massima di auto-risonanza | 5.8GHz | |
| Struttura dell'induttore | Multistrato | |
| Fattore di qualità minimo | 23 | |
| Tipo sagomato | Sì | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio TDK | ||
Induttanza 6.8nH | ||
Tipo prodotto Induttore multistrato SMD | ||
Corrente CC massima 700mA | ||
Contenitore 0402 | ||
Lunghezza 1mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Schermatura Sì | ||
Resistenza in CC massima 140mΩ | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Numero pin 2 | ||
Tolleranza di induttanza ±5 % | ||
Temperatura massima di funzionamento 125°C | ||
Serie MHQ1005P | ||
Tipo di terminazione Montaggio superficiale | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Materiale nucleo Ceramica | ||
Altezza 0.5mm | ||
Profondità 0.5mm | ||
Frequenza massima di auto-risonanza 5.8GHz | ||
Struttura dell'induttore Multistrato | ||
Fattore di qualità minimo 23 | ||
Tipo sagomato Sì | ||
- Paese di origine:
- JP
Induttori ad alta frequenza - serie MHQ1005P
La serie MHQ1005P è dotata di un esclusivo materiale e configurazione in ceramica che consentono la realizzazione di caratteristiche ad alto coefficiente Q, equivalenti a quella di induttori avvolti in conduttori in aria.
Gli incrementi in piccoli passi d’induttanza sono possibili grazie agli strati multipli
Caratteristiche ad alto coefficiente Q
Incrementi d’induttanza in piccoli passi
Le applicazioni includono smartphone, tablet, moduli ad alta frequenza (PA, VCO, FEM, ecc.), Bluetooth, W-LAN, UWB, sintonizzatori e altri circuiti ad alta frequenza per il settore delle comunicazioni mobili