Memoria Flash Microchip, 4Mbit, WDFN, 8 Pin, SPI
- Codice RS:
- 111-5581
- Codice costruttore:
- SST25PF040C-40I/MF
- Costruttore:
- Microchip
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- Codice RS:
- 111-5581
- Codice costruttore:
- SST25PF040C-40I/MF
- Costruttore:
- Microchip
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Microchip | |
| Dimensioni memoria | 4Mbit | |
| Interfacce | SPI | |
| Tipo di package | WDFN | |
| Numero pin | 8 | |
| Organizzazione | 512K x 8 bit | |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale | |
| Tipo di cella | Split gate | |
| Tensione di alimentazione operativa minima | 2,3 V | |
| Tensione di alimentazione operativa massima | 3,6 V | |
| Organizzazione a blocchi | Simmetrico | |
| Lunghezza | 6mm | |
| Altezza | 0.72mm | |
| Larghezza | 5mm | |
| Dimensioni | 6 x 5 x 0.72mm | |
| Minima temperatura operativa | -40 °C | |
| Numero di bit per parola | 8bit | |
| Numero di parole | 512K | |
| Serie | SST25 | |
| Standard per uso automobilistico | AEC-Q100 | |
| Massima temperatura operativa | +85 °C | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Microchip | ||
Dimensioni memoria 4Mbit | ||
Interfacce SPI | ||
Tipo di package WDFN | ||
Numero pin 8 | ||
Organizzazione 512K x 8 bit | ||
Tipo di montaggio Montaggio superficiale | ||
Tipo di cella Split gate | ||
Tensione di alimentazione operativa minima 2,3 V | ||
Tensione di alimentazione operativa massima 3,6 V | ||
Organizzazione a blocchi Simmetrico | ||
Lunghezza 6mm | ||
Altezza 0.72mm | ||
Larghezza 5mm | ||
Dimensioni 6 x 5 x 0.72mm | ||
Minima temperatura operativa -40 °C | ||
Numero di bit per parola 8bit | ||
Numero di parole 512K | ||
Serie SST25 | ||
Standard per uso automobilistico AEC-Q100 | ||
Massima temperatura operativa +85 °C | ||
Memoria SuperFlash® SPI seriale SST25PF040C
I dispositivi della famiglia SST25PF040C di Microchip sono IC di memoria SuperFlash® dotati di un'interfaccia compatibile con SPI a quattro fili. Questi chip di memoria Flash funzionano con una singola alimentazione da 2,3 V a 3,6 V.
Mediante l'uso della tecnologia SuperFlash® questi dispositivi offrono eccezionali tempi di cancellazione rispetto ad altre alternative di memoria flash. I comandi di cancellazione di settore e blocco vengono in genere eseguiti rispettivamente in 40 e 80 ms, mentre l'operazione di cancellazione del chip completo richiede solitamente 250 ms.
Mediante l'uso della tecnologia SuperFlash® questi dispositivi offrono eccezionali tempi di cancellazione rispetto ad altre alternative di memoria flash. I comandi di cancellazione di settore e blocco vengono in genere eseguiti rispettivamente in 40 e 80 ms, mentre l'operazione di cancellazione del chip completo richiede solitamente 250 ms.
Caratteristiche
Operazioni di scrittura e lettura con tensione singola
Architettura di interfaccia seriale - compatibile con SPI modalità 0 e modalità 3
Frequenza di clock ad alta velocità - 40 MHz max
Supporto doppio ingresso/uscita
Basso consumo energetico - corrente di lettura attiva 5 mA, corrente in standby 5 μA, corrente di standby in modalità di spegnimento 3 μA (valori tipici)
Architettura di interfaccia seriale - compatibile con SPI modalità 0 e modalità 3
Frequenza di clock ad alta velocità - 40 MHz max
Supporto doppio ingresso/uscita
Basso consumo energetico - corrente di lettura attiva 5 mA, corrente in standby 5 μA, corrente di standby in modalità di spegnimento 3 μA (valori tipici)
Memoria flash, Microchip