Memoria Flash Cypress Semiconductor, 128Mbit, WSON, 8 Pin, SPI quadruplo

Memoria ad accesso casuale ferroelettrica a 2 Mbit (F-RAM) logicamente
Organizzato come 256 K ´ 8
Lettura/scrittura di 10 trilioni (1014) ad alta resistenza
conservazione dei dati per 121 anni
NoDelay™ scrive
processo ferroelettrico ad alta affidabilità advanced
Interfaccia periferica seriale (SPI) molto veloce
Frequenza fino a 33 MHz
Sostituzione hardware diretta per flash seriale ed EEPROM
Supporta la modalità SPI 0 (0, 0) e la modalità 3 (1, 1)
Sofisticato schema di protezione da scrittura
Protezione hardware tramite il pin Write Protect (WP)
Protezione software mediante istruzione Write Disable
Protezione blocco software per 1/4, 1/2, o intero array
ID dispositivo
ID produttore e ID prodotto
Basso consumo energetico
Corrente attiva 3 ma a 33 MHz
400 A di corrente di standby
12 A modalità di attesa corrente
Funzionamento a bassa tensione: VDD = da 2,0 V a 3,6 V.
Temperatura estesa: Da -40 °C a +105 °C.
Contenitore sottile a 8 pin con doppio cavo piatto senza fili (DFN)