Memoria Flash Cypress Semiconductor, 128Mbit, WSON, 8 Pin, SPI quadruplo
- Codice RS:
- 181-1563
- Codice costruttore:
- S25FL128LAGNFI010
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 vassoio da 490 unità*
951,09 €
(IVA esclusa)
1160,32 €
(IVA inclusa)
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Unità | Per unità | Per Vassoio* |
|---|---|---|
| 490 + | 1,941 € | 951,09 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 181-1563
- Codice costruttore:
- S25FL128LAGNFI010
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Dimensioni memoria | 128Mbit | |
| Interfacce | SPI quadruplo | |
| Tipo di package | WSON | |
| Numero pin | 8 | |
| Organizzazione | 16M x 8 bit | |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale | |
| Tipo di cella | NOR | |
| Tensione di alimentazione operativa minima | 2,7 V | |
| Tensione di alimentazione operativa massima | 3,6 V | |
| Organizzazione a blocchi | Simmetrico | |
| Lunghezza | 5.28mm | |
| Altezza | 1.9mm | |
| Larghezza | 5.28mm | |
| Dimensioni | 5.28 x 5.28 x 1.9mm | |
| Standard per uso automobilistico | AEC-Q100 | |
| Serie | S25FL | |
| Numero di bit per parola | 8bit | |
| Tempo di accesso casuale massimo | 8ns | |
| Minima temperatura operativa | -40 °C | |
| Massima temperatura operativa | +85 °C | |
| Numero di parole | 16M | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Dimensioni memoria 128Mbit | ||
Interfacce SPI quadruplo | ||
Tipo di package WSON | ||
Numero pin 8 | ||
Organizzazione 16M x 8 bit | ||
Tipo di montaggio Montaggio superficiale | ||
Tipo di cella NOR | ||
Tensione di alimentazione operativa minima 2,7 V | ||
Tensione di alimentazione operativa massima 3,6 V | ||
Organizzazione a blocchi Simmetrico | ||
Lunghezza 5.28mm | ||
Altezza 1.9mm | ||
Larghezza 5.28mm | ||
Dimensioni 5.28 x 5.28 x 1.9mm | ||
Standard per uso automobilistico AEC-Q100 | ||
Serie S25FL | ||
Numero di bit per parola 8bit | ||
Tempo di accesso casuale massimo 8ns | ||
Minima temperatura operativa -40 °C | ||
Massima temperatura operativa +85 °C | ||
Numero di parole 16M | ||
Memoria ad accesso casuale ferroelettrica a 2 Mbit (F-RAM) logicamente
Organizzato come 256 K ´ 8
Lettura/scrittura di 10 trilioni (1014) ad alta resistenza
conservazione dei dati per 121 anni
NoDelay™ scrive
processo ferroelettrico ad alta affidabilità advanced
Interfaccia periferica seriale (SPI) molto veloce
Frequenza fino a 33 MHz
Sostituzione hardware diretta per flash seriale ed EEPROM
Supporta la modalità SPI 0 (0, 0) e la modalità 3 (1, 1)
Sofisticato schema di protezione da scrittura
Protezione hardware tramite il pin Write Protect (WP)
Protezione software mediante istruzione Write Disable
Protezione blocco software per 1/4, 1/2, o intero array
ID dispositivo
ID produttore e ID prodotto
Basso consumo energetico
Corrente attiva 3 ma a 33 MHz
400 A di corrente di standby
12 A modalità di attesa corrente
Funzionamento a bassa tensione: VDD = da 2,0 V a 3,6 V.
Temperatura estesa: Da -40 °C a +105 °C.
Contenitore sottile a 8 pin con doppio cavo piatto senza fili (DFN)
Organizzato come 256 K ´ 8
Lettura/scrittura di 10 trilioni (1014) ad alta resistenza
conservazione dei dati per 121 anni
NoDelay™ scrive
processo ferroelettrico ad alta affidabilità advanced
Interfaccia periferica seriale (SPI) molto veloce
Frequenza fino a 33 MHz
Sostituzione hardware diretta per flash seriale ed EEPROM
Supporta la modalità SPI 0 (0, 0) e la modalità 3 (1, 1)
Sofisticato schema di protezione da scrittura
Protezione hardware tramite il pin Write Protect (WP)
Protezione software mediante istruzione Write Disable
Protezione blocco software per 1/4, 1/2, o intero array
ID dispositivo
ID produttore e ID prodotto
Basso consumo energetico
Corrente attiva 3 ma a 33 MHz
400 A di corrente di standby
12 A modalità di attesa corrente
Funzionamento a bassa tensione: VDD = da 2,0 V a 3,6 V.
Temperatura estesa: Da -40 °C a +105 °C.
Contenitore sottile a 8 pin con doppio cavo piatto senza fili (DFN)
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