Memoria Flash Winbond, 1Gbit, VFBGA, 63 Pin, Parallelo

Densità : 1Gbit (soluzione a chip singolo)
Vcc : da 1,7V a 1,95V
Larghezza bus: x8 x16
Temperatura d'esercizio
Industriale: da -40 a 85 °C
Tecnologia SLC (Single Level Cell).
Organizzazione
Densità: 1 G-bit/128 M-byte
Dimensioni pagina
2,112 byte (2048 + 64 byte)
1.056 parole (1024 + 32 parole)
Dimensione del blocco
64 pagine (128K + 4K byte)
64 pagine (64K + 2K parole)
Massime Prestazioni
Prestazioni di lettura (max.)
Lettura casuale: 25US
Ciclo di lettura sequenziale: 25ns
Prestazioni cancellazione scrittura
Tempo di programmazione pagina: 250 us
Tempo di cancellazione di blocco: 2 ms
Durata 100.000 Cicli Di Cancellazione/Programma(1)
conservazione dei dati per 10 anni
Set di comandi
Comando NAND standard s.
Supporto di comandi aggiuntivi
Copia Indietro
Basso consumo energetico
Lettura: 13 ma(tip.)
Programma/Cancella:10mA(tip.)
CMOS standby: 10uA(tip.)
Imballaggio Efficiente In Termini Di Spazio
Standard a 48 pin TSOP1
VFBGA a 48 sfere
VFBGA a 63 sfere
WLCSP a 68 sfere

Memoria flash NAND 1GB SLC con dimensioni pagina 2KB+64B uniformi.

Larghezza bus: x8
Lettura casuale: 25US
Tempo programma pagina: 250us(tip.)
Tempo di cancellazione del blocco: 2ms(tip.)