Memoria Flash Winbond, 4Gbit, VFBGA, 63 Pin, Parallelo

Densità : 4Gbit (soluzione a chip singolo)
Vcc : da 2,7 V a 3,6 V.
Larghezza bus: x8
Temperatura d'esercizio
Industriale: da -40 a 85 °C
Tecnologia SLC (Single Level Cell).
Organizzazione
Densità: 4G-bit/512M-byte
Dimensioni pagina
2,112 byte (2048 + 64 byte)
Dimensione del blocco
64 pagine (128K + 4K byte)
Massime Prestazioni
Prestazioni di lettura (max.)
Lettura casuale: 25US
Ciclo di lettura sequenziale: 25ns
Prestazioni cancellazione scrittura
Tempo di programmazione pagina: 250 us
Tempo di cancellazione di blocco: 2 ms
Durata 100.000 Cicli Di Cancellazione/Programma(1)
conservazione dei dati per 10 anni
Set di comandi
Set di comandi NAND standard
Supporto di comandi aggiuntivi
Lettura Cache Sequenziale
Lettura Cache Casuale
Programma Cache
Copia Indietro
Funzionamento a due piani
Contattare Winbond per la funzione OTP
Contattare Winbond per La funzione Blocco Blocco
Basso consumo energetico
Leggi: 25mA(tip.)
Programma/Cancella: 25mA(tip.)
CMOS standby: 10uA(tip.)
Imballaggio Efficiente In Termini Di Spazio
Standard a 48 pin TSOP1
VFBGA a 63 sfere

Memoria flash NAND 4GB SLC con dimensioni pagina 2KB+64B uniformi.

Larghezza bus: x8
Lettura casuale: 25US
Tempo programma pagina: 250us(tip.)
Tempo di cancellazione del blocco: 2ms(tip.)
Supporta L'Area Di Memoria Otp