Memoria Flash Infineon, 512Mbit, BGA, 64 Pin, CFI

Tecnologia MirrorBit Eclipse a 63 nm
Alimentazione singola (Vcc) per lettura / programmazione / cancellazione (da 2,7 V a 3,6 V)
Funzione i/o versatile
Ampia gamma di tensione i/o (VIO): Da 1,65 V a Vcc
bus dati x8/x16
Lettura asincrona della pagina a 32 byte
Buffer di programmazione da 512 byte
Programmazione in 12 byte
Parola singola e programma multiplo sulle stesse opzioni di parola
Controllo e correzione automatica degli errori (ECC) hardware interno ECC con correzione degli errori a bit singolo
Cancellazione Settore
Settori uniformi da 128 KB
Comandi di sospensione e ripresa per le operazioni di programmazione e cancellazione
I metodi di registrazione dello stato, polling dei dati e PIN Pronto/occupato per determinare lo stato del dispositivo
Protezione Avanzata Del Settore (Advanced Sector Protection, Asp)
Metodi di protezione volatili e non volatili per ciascun settore
Array Otp (One Time Program) a 2048 byte separato
Quattro aree bloccabili (SSR0 - SSR3)
SSR0 È Bloccato in fabbrica
SSR3 è protezione lettura password
Tabella dei parametri Common Flash Interface (CFI)
Range Di Temperatura / Grado:
Industriale (da -40 °C a +85 °C)
Industrial Plus (da -40 °C a +105 °C)
Esteso (da -40 °C a +125 °C)
100.000 Cicli Di Programmazione/Cancellazione
conservazione dei dati per 20 anni፤