Memoria Flash, 1Gbit, TSOP, 48 Pin, Parallelo

La memoria Flash Infineon è realizzata con tecnologia di processo a 45 nm. Questi dispositivi offrono un tempo di accesso alle pagine rapido fino a 15 ns, con un tempo di accesso casuale corrispondente fino a 100 ns. Sono dotati di un buffer di scrittura che consente di programmare un massimo di 256 parole o 512 byte in un'unica operazione, il che si traduce in un tempo di programmazione efficace più rapido rispetto agli algoritmi di programmazione standard.

20 anni di conservazione dei dati
Protezione di settore avanzata
Buffer di programmazione da 512 byte
100000 cicli di programmazione e cancellazione
Lettura pagina asincrona da 32 byte
Tabella dei parametri dell'interfaccia flash comune