Memoria FRAM Cypress Semiconductor, Seriale SPI, 2Mbit, SOIC, 256000 byte x 8 bit, AEC-Q100

Memoria ad accesso casuale ferroelettrica a 2 Mbit (F-RAM) organizzata logicamente come 256K x 8
Durata praticamente illimitata di 10 trilioni (1013) di cicli di lettura/scrittura
conservazione dei dati per 121 anni
NoDelay™ scrive
Processo ferroelettrico ad alta affidabilità Advanced
Interfaccia periferica seriale veloce (SPI)
Frequenza fino a 50 MHz
Supporta la modalità SPI 0 (0, 0) e la modalità 3 (1, 1)
Sofisticato schema di protezione da scrittura
Protezione hardware tramite il pin Write Protect (WP)
Protezione del software mediante l'istruzione Write Disable (WRDI)
Protezione blocco software per 1/4, 1/2, o intero array
ID dispositivo e numero di serie
L'ID del dispositivo include l'ID del produttore e l'ID del prodotto
ID univoco
Numero Di Serie
F-RAM dedicata per settore speciale da 256 byte
Settore speciale dedicato scrittura e lettura
I contenuti memorizzati possono sopravvivere fino a 3 cicli di saldatura a riflusso standard
Basso consumo energetico
3,7 ma (tip.) di corrente attiva a 40 MHz
Corrente di standby 2,7 μA (tip.)
Corrente modalità Deep Down 1,1 μA (tip.)
Corrente modalità ibernazione 0,1 μA (tip.)
Funzionamento a bassa tensione:
CY15V102QN: VDD = DA 1,71 V A 1,89 V.
CY15B102QN: VDD = DA 1,8 V A 3,6 V.
Temperatura di esercizio del settore automobilistico: Da -40 °C a +125 °C.
Conformità AEC-Q100 di grado 1
Contenitore SOIC (Small Outline Integrated Circuit) a 8 pin