FRAM Infineon, I2C a 2 fili, 64 kB, SOIC, 8 Pin, 8K x 8 bit, AEC-Q100

Visualizza Memorie FRAM
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 tubo da 97 unità*

290,127 €

(IVA esclusa)

353,953 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 1843 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
Per Tubo*
97 - 972,991 €290,13 €
194 - 4852,686 €260,54 €
582 - 9702,572 €249,48 €
1067 +2,432 €235,90 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
188-5397
Codice costruttore:
FM24C64B-G
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Dimensione memoria

64kB

Tipo prodotto

FRAM

Tipo di interfaccia

I2C a 2 fili

Larghezza bus dati

8bit

Tempo massimo di accesso casuale

550ns

Tipo montaggio

Superficie

Frequenza di clock massima

1MHz

Tipo di package

SOIC

Numero pin

8

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

4.97mm

Altezza

1.38mm

Temperatura massima di funzionamento

85°C

Standard automobilistico

AEC-Q100

Tensione massima di alimentazione

5.5V

Numero bit per parola

8

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione minima di alimentazione

4.5V

Numero parole

8K

Paese di origine:
US

FRAM, Cypress Semiconductor


La F-RAM (memoria ad accesso causale ferroelettrica) è efficiente dal punto di vista energetico e offre la straordinaria affidabilità delle RAM statiche non volatili per le interfacce seriali e parallele. Le parti con suffisso A sono progettate per le applicazioni automobilistiche e sono certificate AEC-Q100.

Memoria RAM non volatile ferroelettrica

Velocità di scrittura rapida

Durata elevata

Basso consumo energetico

FRAM (RAM ferroelettrica)


La FRAM (memoria ad accesso causale ferroelettrica) è una memoria non volatile che usa una pellicola ferroelettrica come condensatore per la memorizzazione dei dati. Possedendo caratteristiche di dispositivi sia ROM che RAM, F-RAM offre accesso ad alta velocità, lunga durata in modalità di scrittura, basso consumo energetico, non volatilità ed eccellente resistenza alla manomissione. È, pertanto, la memoria ideale per l'uso in schede smart che richiedono elevata sicurezza e basso consumo energetico, nonché in telefoni cellulari e altri dispositivi.

Link consigliati