FRAM Infineon, SPI, 512 kB, SOIC, 8 Pin, 64k x 8 Bit, AEC-Q100
- Codice RS:
- 188-5420
- Codice costruttore:
- FM25V05-G
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 tubo da 97 unità*
524,285 €
(IVA esclusa)
639,618 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Temporaneamente esaurito
- Spedizione a partire dal 31 luglio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 97 + | 5,405 € | 524,29 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 188-5420
- Codice costruttore:
- FM25V05-G
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | FRAM | |
| Dimensione memoria | 512kB | |
| Tipo di interfaccia | SPI | |
| Larghezza bus dati | 8bit | |
| Tempo massimo di accesso casuale | 18ns | |
| Frequenza di clock massima | 40MHz | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Tipo di package | SOIC | |
| Numero pin | 8 | |
| Altezza | 1.38mm | |
| Lunghezza | 4.97mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Temperatura massima di funzionamento | 85°C | |
| Standard automobilistico | AEC-Q100 | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Numero parole | 64K | |
| Numero bit per parola | 8 | |
| Tensione minima di alimentazione | 2V | |
| Tensione massima di alimentazione | 3.6V | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto FRAM | ||
Dimensione memoria 512kB | ||
Tipo di interfaccia SPI | ||
Larghezza bus dati 8bit | ||
Tempo massimo di accesso casuale 18ns | ||
Frequenza di clock massima 40MHz | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Tipo di package SOIC | ||
Numero pin 8 | ||
Altezza 1.38mm | ||
Lunghezza 4.97mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Temperatura massima di funzionamento 85°C | ||
Standard automobilistico AEC-Q100 | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Numero parole 64K | ||
Numero bit per parola 8 | ||
Tensione minima di alimentazione 2V | ||
Tensione massima di alimentazione 3.6V | ||
- Paese di origine:
- US
FRAM, Cypress Semiconductor
La F-RAM (memoria ad accesso causale ferroelettrica) è efficiente dal punto di vista energetico e offre la straordinaria affidabilità delle RAM statiche non volatili per le interfacce seriali e parallele. Le parti con suffisso A sono progettate per le applicazioni automobilistiche e sono certificate AEC-Q100.
Memoria RAM non volatile ferroelettrica
Velocità di scrittura rapida
Durata elevata
Basso consumo energetico
FRAM (RAM ferroelettrica)
La FRAM (memoria ad accesso causale ferroelettrica) è una memoria non volatile che usa una pellicola ferroelettrica come condensatore per la memorizzazione dei dati. Possedendo caratteristiche di dispositivi sia ROM che RAM, F-RAM offre accesso ad alta velocità, lunga durata in modalità di scrittura, basso consumo energetico, non volatilità ed eccellente resistenza alla manomissione. È, pertanto, la memoria ideale per l'uso in schede smart che richiedono elevata sicurezza e basso consumo energetico, nonché in telefoni cellulari e altri dispositivi.