Memoria FRAM Infineon, Seriale SPI, 4Mbit, GQFN, 512K x 8 bit

Nonvolatilemory a 4 Mbit a bassa potenza che impiega un Advanced ferroelettrico process. Una memoria ad accesso casuale ferroelettrica o F-RAM è non volatile ed esegue letture e scritture simili a una RAM. Fornisce una conservazione affidabile dei dati per 151 anni, eliminando al contempo le complessità, i costi generali e i problemi di affidabilità a livello di sistema causati da flash seriale, EEPROM e altre memorie non volatili. Non sono previsti ritardi di scrittura. I dati vengono scritti nell'array di memoria immediatamente dopo che ciascun byte è stato trasferito con successo al dispositivo. Il ciclo di bus successivo può iniziare senza la necessità di polling dei dati. In aggiunta, il prodotto offre una sostanziale durata di scrittura rispetto ad altre memorie non volatili. In grado di supportare 1015 cicli di lettura/scrittura o 1000 milioni di cicli di scrittura rispetto alla EEPROM. Ideale per applicazioni di memoria non volatile che richiedono scrittura Rapid o frequente. Offre notevoli vantaggi agli utenti di EEPROM seriale o flash come sostituzione drop-in hardware. Utilizza il bus SPI ad alta velocità, che migliora la capacità di scrittura ad alta velocità della tecnologia F-RAM.