FRAM automotive seriale (I2C) Infineon, Seriale I2C, 64 kB, SOIC-8, 8 Pin, 8k x 8 bit FM24CL64B-DG, Certificazione AEC
- Codice RS:
- 273-7380
- Codice costruttore:
- FM24CL64B-DG
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
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- Codice RS:
- 273-7380
- Codice costruttore:
- FM24CL64B-DG
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Dimensione memoria | 64kB | |
| Tipo prodotto | FRAM automotive seriale (I2C) | |
| Organizzazione | 8k x 8 bit | |
| Tipo di interfaccia | Seriale I2C | |
| Larghezza bus dati | 8bit | |
| Frequenza di clock massima | 1MHz | |
| Tipo di package | SOIC-8 | |
| Numero pin | 8 | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Temperatura massima di funzionamento | 125°C | |
| Minima temperatura operativa | 40°C | |
| Numero bit per parola | 8 | |
| Standard automobilistico | Certificazione AEC Q100 Grado 1 | |
| Tensione minima di alimentazione | 3V | |
| Tensione massima di alimentazione | 3.6V | |
| Numero parole | 8K | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Dimensione memoria 64kB | ||
Tipo prodotto FRAM automotive seriale (I2C) | ||
Organizzazione 8k x 8 bit | ||
Tipo di interfaccia Seriale I2C | ||
Larghezza bus dati 8bit | ||
Frequenza di clock massima 1MHz | ||
Tipo di package SOIC-8 | ||
Numero pin 8 | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Temperatura massima di funzionamento 125°C | ||
Minima temperatura operativa 40°C | ||
Numero bit per parola 8 | ||
Standard automobilistico Certificazione AEC Q100 Grado 1 | ||
Tensione minima di alimentazione 3V | ||
Tensione massima di alimentazione 3.6V | ||
Numero parole 8K | ||
La FRAM di Infineon è una memoria non volatile da 64 Kbit che utilizza un processo ferroelettrico avanzato. Una memoria ad accesso casuale ferroelettrica o FRAM non è volatile ed esegue letture e scritture simili a quelle di una RAM. Offre una conservazione affidabile dei dati per 121 anni, eliminando al contempo le complessità, l'overhead e i problemi di affidabilità a livello di sistema causati da EEPROM e altre memorie non volatili. A differenza della EEPROM, esegue operazioni di scrittura alla velocità del bus. Non si verificano ritardi di scrittura. I dati vengono scritti nell'array di memoria immediatamente dopo che ogni byte è stato trasferito con successo al dispositivo. Il ciclo di bus successivo può iniziare senza la necessità di effettuare il polling dei dati. Inoltre, il prodotto offre una notevole resistenza alla scrittura rispetto ad altre memorie non volatili.
Conforme a RoHS
Basso consumo energetico
Interfaccia periferica seriale molto veloce a 2 fili
Conformità AEC Q100 grado 1
Elevata resistenza di 10 trilioni di letture e scritture
Processo ferroelettrico avanzato ad alta affidabilità
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