Memoria FRAM Ramtron International Corp, Seriale 2 fili, 512kbit, SOIC, 65536 x 8 bit
- Codice RS:
- 716-5738
- Codice costruttore:
- FM24C512-G
- Costruttore:
- Ramtron International Corp
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RS non distribuirà più questo prodotto.
- Codice RS:
- 716-5738
- Codice costruttore:
- FM24C512-G
- Costruttore:
- Ramtron International Corp
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Ramtron International Corp | |
| Dimensioni memoria | 512kbit | |
| Organizzazione | 65536 x 8 bit | |
| Interfacce | Seriale 2 fili | |
| Larghezza del bus dati | 8bit | |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale | |
| Tipo di package | SOIC | |
| Numero pin | 8 | |
| Dimensioni | 5.23 x 5.28 x 1.75mm | |
| Lunghezza | 5.23mm | |
| Tensione di alimentazione operativa massima | 5,5 V | |
| Larghezza | 5.28mm | |
| Altezza | 1.75mm | |
| Massima temperatura operativa | +85 °C | |
| Numero di bit per parola | 8bit | |
| Minima temperatura operativa | -40 °C | |
| Tensione di alimentazione operativa minima | 4,5 V | |
| Numero di parole | 65536 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Ramtron International Corp | ||
Dimensioni memoria 512kbit | ||
Organizzazione 65536 x 8 bit | ||
Interfacce Seriale 2 fili | ||
Larghezza del bus dati 8bit | ||
Tipo di montaggio Montaggio superficiale | ||
Tipo di package SOIC | ||
Numero pin 8 | ||
Dimensioni 5.23 x 5.28 x 1.75mm | ||
Lunghezza 5.23mm | ||
Tensione di alimentazione operativa massima 5,5 V | ||
Larghezza 5.28mm | ||
Altezza 1.75mm | ||
Massima temperatura operativa +85 °C | ||
Numero di bit per parola 8bit | ||
Minima temperatura operativa -40 °C | ||
Tensione di alimentazione operativa minima 4,5 V | ||
Numero di parole 65536 | ||
FRAM, Cypress Semiconductor
La F-RAM (memoria ad accesso causale ferroelettrica) è efficiente dal punto di vista energetico e offre la straordinaria affidabilità delle RAM statiche non volatili per le interfacce seriali e parallele. Le parti con suffisso A sono progettate per le applicazioni automobilistiche e sono certificate AEC-Q100.
Memoria RAM non volatile ferroelettrica
Velocità di scrittura rapida
Durata elevata
Basso consumo energetico
Velocità di scrittura rapida
Durata elevata
Basso consumo energetico
FRAM (RAM ferroelettrica)
La FRAM (memoria ad accesso causale ferroelettrica) è una memoria non volatile che usa una pellicola ferroelettrica come condensatore per la memorizzazione dei dati. Possedendo caratteristiche di dispositivi sia ROM che RAM, F-RAM offre accesso ad alta velocità, lunga durata in modalità di scrittura, basso consumo energetico, non volatilità ed eccellente resistenza alla manomissione. È, pertanto, la memoria ideale per l'uso in schede smart che richiedono elevata sicurezza e basso consumo energetico, nonché in telefoni cellulari e altri dispositivi.