Modulo di potenza SiC Infineon, canale N, 0,00825 Ω, 200 A, AG-EASY2B, Montaggio a vite
- Codice RS:
- 201-2810
- Codice costruttore:
- FF6MR12W2M1B11BOMA1
- Costruttore:
- Infineon
Prodotto discontinuato
- Codice RS:
- 201-2810
- Codice costruttore:
- FF6MR12W2M1B11BOMA1
- Costruttore:
- Infineon
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Il modulo half-bridge Infineon da 6 MO, 1200 V con MOSFET in carburo di silicio, è dotato di sensore di temperatura NTC e tecnologia di contatto Pressfit. È disponibile anche con materiale di interfaccia termica.
Elevata densità di corrente
Design a bassa induttività
Basse perdite di commutazione
Moduli conformi alla direttiva RoHS
Design a bassa induttività
Basse perdite di commutazione
Moduli conformi alla direttiva RoHS
Specifiche
Attributo | Valore |
|---|---|
| Tipo di canale | N |
| Corrente massima continuativa di drain | 200 A |
| Tensione massima drain source | 1200 V |
| Tipo di package | AG-EASY2B |
| Serie | CoolSiC |
| Tipo di montaggio | Montaggio a vite |
| Resistenza massima drain source | 0,00825 Ω |
| Modalità del canale | Enhancement |
| Tensione di soglia gate massima | 5.55V |
| Numero di elementi per chip | 2 |
| Materiale del transistor | SiC |
- Codice RS:
- 201-2810
- Codice costruttore:
- FF6MR12W2M1B11BOMA1
- Costruttore:
- Infineon