MOSFET Microchip, canale N, 1 kΩ, 30 mA, TO-92, Su foro

La gamma di transistor DMOS FET con modalità di esaurimento a canale N Supertex di Microchip è ideale per le applicazioni che richiedono un'elevata tensione di scarica distruttiva, alta impedenza di ingresso, bassa capacità di ingresso e rapida velocità di commutazione.

Elevata impedenza di ingresso
Bassa capacità d'ingresso
Velocità elevata di commutazione
Bassa resistenza all'accensione
Privi di scarica secondaria
Bassa dispersione in ingresso e in uscita

Interruttori normalmente attivi
Relè a stato solido
Convertitori
Amplificatori lineari
Sorgenti di corrente costante
Circuiti di alimentazione
Telecomunicazioni

Il transistor (normalmente attivo) in modalità di impoverimento canale N LND150 di Microchip utilizza la tecnologia DMOS laterale. Il gate è protetto da ESD. È ideale per applicazioni ad alta tensione in aree di interruttori normalmente in funzione, sorgenti di corrente costante di precisione, generazione di rampa di tensione e amplificazione. È dotato di tensione drain-source e drain-to-gate di 500V e di resistenza statica drain-source in stato attivo di 1 1kΩ.

Privo di scarica secondaria
Basso requisito di potenza di azionamento
Facilità di collegamento in parallelo
Stabilità termica eccellente
Diodo source-drain integrato
Elevata impedenza di ingresso e basso CISS
Esente da piombo (Pb)
Contenitore TO-92 a 3 conduttori

Transistor MOSFET, Microchip