- Codice RS:
- 829-3250P
- Codice costruttore:
- LND150N3-G
- Costruttore:
- Microchip
1660 Disponibile per la consegna entro 1 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa/UK)
Aggiunto
Prezzo per Pezzo (Fornito in busta)
0,527 €
(IVA esclusa)
0,643 €
(IVA inclusa)
Unità | Per unità |
40 - 80 | 0,527 € |
100 + | 0,473 € |
- Codice RS:
- 829-3250P
- Codice costruttore:
- LND150N3-G
- Costruttore:
- Microchip
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Transistor MOSFET con modalità di esaurimento a canale N Supertex
La gamma di transistor DMOS FET con modalità di esaurimento a canale N Supertex di Microchip è ideale per le applicazioni che richiedono un'elevata tensione di scarica distruttiva, alta impedenza di ingresso, bassa capacità di ingresso e rapida velocità di commutazione.
Caratteristiche
Elevata impedenza di ingresso
Bassa capacità d'ingresso
Velocità elevata di commutazione
Bassa resistenza all'accensione
Privi di scarica secondaria
Bassa dispersione in ingresso e in uscita
Bassa capacità d'ingresso
Velocità elevata di commutazione
Bassa resistenza all'accensione
Privi di scarica secondaria
Bassa dispersione in ingresso e in uscita
Applicazioni
Interruttori normalmente attivi
Relè a stato solido
Convertitori
Amplificatori lineari
Sorgenti di corrente costante
Circuiti di alimentazione
Telecomunicazioni
Relè a stato solido
Convertitori
Amplificatori lineari
Sorgenti di corrente costante
Circuiti di alimentazione
Telecomunicazioni
Il transistor (normalmente attivo) in modalità di impoverimento canale N LND150 di Microchip utilizza la tecnologia DMOS laterale. Il gate è protetto da ESD. È ideale per applicazioni ad alta tensione in aree di interruttori normalmente in funzione, sorgenti di corrente costante di precisione, generazione di rampa di tensione e amplificazione. È dotato di tensione drain-source e drain-to-gate di 500V e di resistenza statica drain-source in stato attivo di 1 1kΩ.
Privo di scarica secondaria
Basso requisito di potenza di azionamento
Facilità di collegamento in parallelo
Stabilità termica eccellente
Diodo source-drain integrato
Elevata impedenza di ingresso e basso CISS
Esente da piombo (Pb)
Contenitore TO-92 a 3 conduttori
Basso requisito di potenza di azionamento
Facilità di collegamento in parallelo
Stabilità termica eccellente
Diodo source-drain integrato
Elevata impedenza di ingresso e basso CISS
Esente da piombo (Pb)
Contenitore TO-92 a 3 conduttori
Transistor MOSFET, Microchip
Specifiche
Attributo | Valore |
---|---|
Tipo di canale | N |
Corrente massima continuativa di drain | 30 mA |
Tensione massima drain source | 500 V |
Tipo di package | TO-92 |
Tipo di montaggio | Su foro |
Numero pin | 3 |
Resistenza massima drain source | 1 kΩ |
Modalità del canale | Depletion |
Tensione di soglia gate massima | 3V |
Dissipazione di potenza massima | 740 mW |
Configurazione transistor | Singolo |
Tensione massima gate source | -20 V, +20 V |
Materiale del transistor | Si |
Larghezza | 4.19mm |
Numero di elementi per chip | 1 |
Lunghezza | 5.2mm |
Massima temperatura operativa | +150 °C |
Altezza | 5.33mm |
Minima temperatura operativa | -55 °C |
- Codice RS:
- 829-3250P
- Codice costruttore:
- LND150N3-G
- Costruttore:
- Microchip